”BSIM4模型问题

[evilguy]

我用我的模拟BSIM4模型。我注意到有3 BSIM4参数代表氧化层厚度。这些参数托克塞是电气氧化层厚度，TOXP这是身体氧化层厚度和DTOX这是托克塞和TOXP差异。谁可以告诉我从托克塞和TOXP什么不同。

我的第二个问题是，如果我想提出的氧化层厚度的参数我要不同的变化。任何一个或两个。谢谢。

 

[pbs681]

evilguy说：

我用我的模拟BSIM4模型。
我注意到有3 BSIM4参数代表氧化层厚度。
这些参数托克塞是电气氧化层厚度，TOXP这是身体氧化层厚度和DTOX这是托克塞和TOXP差异。
谁可以告诉我从托克塞和TOXP什么不同。我的第二个问题是，如果我想提出的氧化层厚度的参数我要不同的变化。
任何一个或两个。
谢谢。

 

[pravin_dwaramwar]

由于栅氧化层厚度
， 大力减少，有限电荷层的厚度不能忽视，BSIM4模型考虑到这种效果。为此，BSM4接受两个以下三个模型输入：电气栅氧化层厚度TOXE1，物理栅氧化层厚度TOXP，他们的区别DTOX =托克塞- TOXP。根据这些参数，有效的栅氧化层电容Coxeff效果计算。

普拉温

 

[Guest]

[No message]

 

[evilguy]

谢谢。因此
， 为了我
， 调查氧化层厚度的变化，我要在同样的方式各不相同托克塞和TOXP，使这两个仍等于dtox区别？

 

[santoshchiniwar]

请任何机构可以解释，如何使用像bsim4 HSPICE的bsim4是C代码。！如何进行模拟和参数提取