”CMOS技术是低功耗？

CMOS逻辑的驱动
， 而不是像目前的双极技术，因此目前没有必要基础电压。这已是一个降低功耗的因素。
的CMOS可以很容易地说
， 缩减至1.0um至0.18微米
， 甚至0.09um，因此寄生上限容易缩水，因此开关电流会降低，为进一步降低功耗。
CMOS逻辑的轨到轨，这样的阈值电压的PMOS和NMOS下调可使电压需要，所以在0.35下降3.3至1.8V的0.18微米，因此进一步降低开关电流，功耗进一步降低。
泄漏电流通常少得多
， 除了从0.18微米深亚微米

 
对不起！

这个论点的CMOS低功耗是不正确的。它是逻辑电路的电路结构
， 作出了错误的结论
， 是低功耗的CMOS。

详细的原因是设备与互补

比例的静动态电流可以作出非常低。类似于典型的数字电路和系统使用情况的优势为20ps之旅
， 但也只是2ns的。因此
， 建立一个静态/动态0.01 everthing流动比率是好的。如果静态消费的增加电路中的功率为主导的静态功耗。

该电路可互补还与互补双极型。泄漏已经降低
， 所占比例更好。

在45nm的S / D和门泄漏高科技主导
， 多栅必须使用。这时的MOS与双极降低成本的优势。我终于看到双极机制作出了特别的设备
， 但像马鞍山希望保持较低的静态/动态比率。

 
基本上，我同意你的论点，。
我觉得这是一个总体思路的时间CMOS逻辑最应该是比较具有低功耗
， 与其他技术相比
， 如果我们谈论相同的逻辑功能，所以实际上，这个问题太宽在这里讨论，但是，有一点是可以肯定，在过去30年的现在
， 除非在非常深亚微米技术，（我们现在谈的不是这里泄漏），如果你想拥有最小的休眠模式或待机电流的电路，CMOS是总是最好的。

 
嘿
， 我同意与美国

数字电路具有非常大的动态电流

你能说清楚plz静态电流？

 
在逻辑operationg方面，
“动态”是指逻辑切换
“静态”是指逻辑是一个国家的稳定。

“静态”目前可能意味着当一个人的逻辑是稳定的，目前它本身消耗
和负载。如果负载电阻，你就知道结果。如果负载电容，那么它不会有静态电流泄漏除外

“动态”目前可能意味着开关电流充电/放电的内部寄生上限影响的逻辑改变从一个状态到另一个。此外，包括射击，直连目前在过渡期及某种程度上可能主宰
， 如果设计上是好的

 
感谢为上述地段信息当我们谈论ABT生根粉的CMOS数字电路（简单逆变器）？我们怎能说是一个低功耗？

是因为高动态电流呢？（高动态电流可以预料
， 因为大的变化
， 在输入电压在很短的时间内）余didn't得到静态电流的概念
， 实际上，会是比较低的动态电流？
这是为什么？

 
有一对晶体管的CMOS参数与上面介绍的缺陷：BJT为仍然落后了10倍一体化密度的因素，因此
， 即使做了晶体管和之间的数字电路功耗的CMOS比较是无效的。如果BJT管被扩展到像CMOS currenty是（45）静态电流会增加类似的方式
， 看到什么在CMOS，也就是说，如果BJT管甚至可以在这些工作类似的几何尺寸。

 
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