一个问题的互补的MOS开关

[wholx]

在与SPICE仿真，我发现了罗恩和RonP与输入电压怪异的曲线。

让我们来看看在NMOS管。假设在模拟的VGS电压=内径。性病=输入电压从0上升到5V线性。

任何人都可以告诉我发生的事情
， 如果Vin是深远的内径，Vthn，然后将它？又如何对NMOS管罗恩？

我所看到的是罗恩攀升至数Gohms左右内径，Vthn。同时，随着输入电压继续增加，该指数飙升到几百欧姆
， 然后开始增加。我不知道发生了什么。也许是电荷注入方式的变化
， 在过渡期的罗恩？但栅极控制电压始终内径，我不认为电荷注入很重要。

任何想法是值得欢迎的。

thx！

wholx

 

[Guest]

[No message]

 

[pseudockb]

您好，我只是做了关于马鞍山开关最近阻力
， 但我没有发现任何特殊的模拟。对于NMOS开关，其电阻急剧增加的栅极电压阈值电压的方法及以下。电荷注入只发生只有当开关打开，我看不出它有什么与你的观滩。也许你可以包括你的测试环境？

 

[vivek_raj_verma]

嗨，
在VDD -信任体系，为NMOS管swiched，罗恩趋于无穷大，其正常。U可以看到罗恩表达。对于输入电压=内径，信任体系的表达在分母为零
， 罗恩为无穷大。

难道这是乌拉圭回合quiestion是??????

维姬