L
leebluer
Guest
在报纸,更大的输出电容是用来实现更好的LDO,大多数大于2.2uF的瞬态特性。
但在某些产品的应用笔记,只0.1uF的输出电容LDO的就足够了。是否有任何其他结构?我不知道它的想法。
如果可能的话,请帮助我搞清楚。
感谢事先
但在某些产品的应用笔记,只0.1uF的输出电容LDO的就足够了。是否有任何其他结构?我不知道它的想法。
如果可能的话,请帮助我搞清楚。
感谢事先
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