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您好
如果我模拟电路板结构(
a 微带追踪)的三维电磁模拟器创建一个macromodell ( S参数试金石文件) ,那么我一定要连接terination电阻的时间模拟安装?
如果我连接50欧姆端接电阻的时间模拟,然后我可以使用不同的macromodell终止电阻值的电路仿真(当我使用的S -参数宏,例如在安捷伦广告,或香料... ) ?会导致不正确的结果?
我认为
, S参数结果应该取决于实际终止:例如
, 如果其匹配然后就不会有共振...然后
, 如果我使用macromodell与无与伦比的端接电阻的电路模拟它不会引起共鸣了。
如果我重用macromodell和使用不同终端的电路模拟,然后宏将不会有所不同的情况下首先使用终止价值。是吗?
问题是在时间的仿真
, 我们不能使用正确的终止,因为它来自于缓冲区的IBIS模型和那些不符合电磁模拟器。
因此,
有 多少可用的S参数macromodell ?
如果我模拟电路板结构(
a 微带追踪)的三维电磁模拟器创建一个macromodell ( S参数试金石文件) ,那么我一定要连接terination电阻的时间模拟安装?
如果我连接50欧姆端接电阻的时间模拟,然后我可以使用不同的macromodell终止电阻值的电路仿真(当我使用的S -参数宏,例如在安捷伦广告,或香料... ) ?会导致不正确的结果?
我认为
, S参数结果应该取决于实际终止:例如
, 如果其匹配然后就不会有共振...然后
, 如果我使用macromodell与无与伦比的端接电阻的电路模拟它不会引起共鸣了。
如果我重用macromodell和使用不同终端的电路模拟,然后宏将不会有所不同的情况下首先使用终止价值。是吗?
问题是在时间的仿真
, 我们不能使用正确的终止,因为它来自于缓冲区的IBIS模型和那些不符合电磁模拟器。
因此,
有 多少可用的S参数macromodell ?