下直流直流转换器

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您好盖伊，
该产品是我的处理是使用降压直流直流转换器，即输出约为13.8 V和输入是能够改变至26V的11V之间。该prodcut浸泡在温度室去
， 即它通过从 85℃温度周期为2天-45这是在测试配置文件的一部分
， 被发现的开关晶体管（民进党）烧毁。
谁能告诉我
， 可能引起的问题。当时使用的电压是17V的
， 它通常约3A条排水渠
， 但我们发现
， 目前上升到第14A晶体管前弄得焦头烂额。

是什么原因晶体管的potiential以害己？

 
-45 ° C至 85 ° C的温度范围很宽..
最有可能损害已经在85 ° C，或者接近这一极限发生。
你必须检查组件的温度额定值。
很常见的商业等级介于0 ° C和85 ° C的≈
如果你认为的开关晶体管散热片的大小
， 然后在适当的责备
， 而我的其他组成部分，主要是帽子的电路故障..，
关心，
IanP

 
如何能降压转换器的输出13.8V的输入从11V时，它不能成为降压稳压器然后。

 
您好Mohamedtaha，
很抱歉
， 但是当它11V之间
， 将让出约11 V以及....时，highete然后13.8然后它将不断地给出了13.V.遗憾的混乱。5分钟后加上：您好IanP，
但问题是
， 这种PNP晶体管不与散热片来。（以前资格之前
， 我们这个产品是不是有这样的问题。任何设计更改。但在1.5本产品的销售仅最近几年
， 我们面临着这对新生产的产品问题。15分钟后添加：您好SkyHigh，
从 85℃的温度循环，-45，是我们的测试配置文件通常用于我们的产品使用了多年。而且正如该产品最初是无问题
， 但最近才。我们已检查是否有任何短路由于程序问题
， 但一切看起来确定。

很抱歉
， 但我们didn't管理监控温度时
， 电流上升到14A条
， 我们同时运行30个单位的产品
， 是很难获得这样的数据。但我相信它会被 85℃的时间。

通常情况下
， 发射极和集电极脚被短
， 有时被白白烧掉了。高度的数据表和烧毁PNP晶体管。希望它能帮助。
感谢您的支持。
很抱歉，您还没有登录查看此附件

 
我看到了燃烧PNP晶体管的合影
， 我也看到了这种晶体管的数据表。

1。由照片目视检查，发射极严重烧毁。收集和基础都很好。虽然深褐色污点收集的脚出现，它是燃烧塑料采集器上的针涂层
， 因为它是未来的发射器（引脚和塑料盒包装）。

2。基于数据表给出了您如何PNP晶体管是在您的产品使用说明，晶体管运作良好不低于最高收视率。

请参考表，- 15A是最高的（维生素E迹象都表明
， 收集
， 是PNP输入），但- 8A是典型的评价时
， 饱和进步党在室温为25 ° C的温度（的Vce）

参照第3页的数据表，在情节看“正向偏置安全工作区”
IC是限制为11A条
， 最高时的Vce为2V在室温下。

第14A条当然是“炒”这个晶体管即使在室温下，不用甚至提及在较高温度下工作
， 并更高的开关频率。

请注意
， 开关频率也导致权力摄入量的增加。什么是频率的使用？

提示：这里使用的这个进步党已被设计成收集能够承担更高的电流
， 因为它是通常与限流电阻输入，然后才免受高电压和高电流供应收藏家。通常由于基地保护限流电阻和HFE的或进步党
， 以确保获得非常低的输出从基极电流，它是安全的。但是
， 如果负荷侧，在那里发射器连接，不提供充足的电流限制保护，发射器将“在这种情况下炒”。

如果PNP晶体管突然关闭，这导致在在输入新进步党的PNP集电极输入电压低于发射器和负载，从负载电流注入将回大幅增加发射器的进步党。这回注射液是由强大的电感
， 由于反电势（楞次定律）。

不要忘记
， 与发射器和负载电容放电负载和发射器的进步党
， 因为它是共同的路径或在负载节点。

我怀疑没有任何之间PNP管和电感器发射的一系列保护二极管。

然而
， 有一个二极管
， 通常是在步骤用于降压或降压转换器
， 但这种二极管是平行的电感和电容（电容器平行负载）连接。然而
， 这并非保护进步党发射。

您可以有以下的保护方法：

一个并行连接功率二极管（1N4003例如之间的发射器和集电极）菲律宾国家警察
， 这样二极管的阴极连接到新进步党收藏家连接到菲律宾国家警察发射二极管的阳极。这是确保飞轮电路提供一个从在负载充电的电容器放电路径通过履行进步党在递归循环中储存的能量。这也提供了一个由电感由于楞次定律反电动势dicharge路径。这种转移的巨大注入通过二极管的电流。

PNP晶体管
， 这只是最近报告失败
， 因为它在一段时间内使用。它的工作了一段时间，但在这个时期进步党正，之间的模具和发射器的封装引脚键合线正慢慢融合因背部直到有一天
， 这个问题注入发生。

 
也许你应该考虑低功耗的VCESAT PNP晶体管。
看一看，例如BD744：http://clinch.ch/CLINCH/Robotik/BD744.pdf
从characterisitc的VCESAT /集成电路你会发现
， 这种晶体管将的VCESAT“1V的（上）10A条..
也许你只需要更强大的晶体管..
关心，
IanP

 
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