与同一进程中大小

V

vinayshivakumar

Guest
嗨,
我有几个问题:

什么是室速阶级之间在图书馆的区别?他们是什么因素改变改变阈值电压(VT)的?

什么是MTCMOS?任何有关的文件???

什么是混合模式之间的过程和过程中的正常的CMOS区别-例如IBM公司有3个变种的90纳米CMOS -低功耗(LP),混合模式(RF)和逻辑CMOS(平方英尺)

 
改变阈值电压佛蒙特州,栅极氧化物厚度改变。降低潮气量,更高的门槛,但快速晶体管开关

MTCMOS -多阈值CMOS(混合潮气量设计)

混合模式的过程:全球分销系统将包含不同阈值电压晶体管
正常的CMOS工艺:所有在设计使用相同的晶体管阈值电压

 
我们只检查相关论坛..有一个关于MTCMOS电路设计书
, 我belieive ..

 
如果你可以学习不同的室速布局,您可以有更多的细节

 
您好维奈

如果u有良好的时间来了解细节,读这本书的数字集成电路

米尔斯chandrakasan和合作。authers。

它认为
, 作为数字化设计的圣经。

祝您好运。

苏雷

 

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