与0.18微米技术的典型电容

G

gunturikishore

Guest
嗨，

谁能告诉我谓典型电容值
， 可用于模拟芯片设计与0.18微米technnology。

我会很乐意的任何网络链接将同样提供。

 
典型值只能是少数公积金如果有芯片面积上的约束。如果芯片面积是不是一个很大的局限，那么你可以为所有的帽子你想。因此，尽量让人对您的预算有多少活跃的领域是
， 然后计算需要多少面积的左边。此外，如果您在设计器或江苏鑫帽电路，你的帽子要真正准确。因此
， 你将不得不考虑平行铺设的小帽子出来。这会增加芯片面积进一步。

 
可否请您更具体ABT生根粉的Uppper和下限？我想知道specificaly下限，这是电容的最低值。

 
主要晶圆代工支持1fF/um2 1 MIM电容器
， 以及在4fF/um2私校电容。

 
大多数CMOS工艺的支持肯定米姆上限。他们对1fF/um2单位的电容。未来的帽子的大小，你必须有你想要什么应用程序有多少芯片面积你有一个想法。

 
也许你可以给他一些像真正的价值
区边缘
---------------------------------------------
poly1“ - ”薄氧化？f /嗯^ 2？
用m4“ - ”M5的米姆帽？f /嗯^ 2？

 
就像我刚才说的0.25u和0.18微米工艺
， 我们有，在后M4股帽“ - ”M5的米姆上限约为1fF/um2

 
从50fF典型值为10pF到如果你想上限处理模拟信号。太小将创建匹配和噪声问题，过大的consump太多领域。

如果您想进行一些上限不是精密信号处理（或脱钩的运放如赔偿帽帽），那么你可以使用电容
， 电容马鞍山可达50 pF和去耦甚至数为上限hunderd公积金如果您有地区。

 
但是
， 马鞍山帽有一个大问题，它的价值时
， 将改变它的电压changed.Sometimes它可以摧毁你的设计
， 如果你还没有想一想。关心

flyankh

 
亲爱的flyankh，
如果您使用的是马鞍山帽子，一个一直照顾的渠道到位。否则的第线性将会消失。

 
其实我需要模拟设计电容voltge分压器网络
， 我需要向150f通常50fF楼以上
， 我认为它适合我的要求的答案。非常感谢所有谁给了很好的建议。

 
安布雷说：

亲爱的flyankh，

如果您使用的是马鞍山帽子，一个一直照顾的渠道到位。
否则的第线性将会消失。
 
MIM制上限为更好nodoubt，把人有聚也聚上限。
问题是面积MIM制盖消费。如果我清楚地记得
， 从马德拉斯理工学院博士学位的工作在他的博士尚提帕谈过对MOS电容滤波器设计中使用。“高频连续时间滤波器在数字CMOS工艺”
以下是它的抽象
“这论文调查的过程中高频数字CMOS连续时间滤波器的设计。一种名为``固定电容缩放''已提议以便能够连续时间滤波器的实现是在一个宽广的范围内可调，而低功率耗散
， 实现非常高杆的频率。结果表明
， 使用这种过滤技术的设计是最优的有关噪声，失真和动态范围。这种架构开发利用的综合要素MOS电容。这就使得一个完全数字化使用CMOS工艺通过仔细建模。，它已经表明
， 在本质上歪曲非电容器产生的非线性马鞍山为各种应用而不是关注的问题。一个精确的模型电容器发展的积累已在通用电路模拟器实施。

为了显示在不断电容缩放，4阶巴特沃斯滤波器的设计和在0.25微米数字CMOS工艺制造的权力。该过滤器采用比例随着马鞍山积累电容器技术
， 并有一个可以编程
， 从60兆赫到350兆赫带宽。测得的过滤器的动态范围为54分贝。为了保持稳定的滤波器响应对工艺和温度变化，电阻器，伺服调节技术
， 它利用了MOS晶体管的平方律的性质已经研制成功。此方法为低质量的因素
， 过滤器足够了。

对于非常高品质的过滤器，简单的优化技术在测试芯片使用的可能无法保证足够的精度。更准确和更复杂的方法
， 基于过滤器的行为
， 提出比较振荡器。这项计划转换成一个振荡器一个过滤器。分析关系
， 为过滤器的行为比较系统已经制定并通过实验电路板原型验证。的幅度和振荡频率的中心频率和质量的双二次节因素的措施。该建议的调谐环路滤波器新颖之处在于
， 它分离了中心频率和品质因数的测量。“

 
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