两个阶段的OP - AMP的使用OrCAD

[kokor]

您好每个之一PLZ任何一个可以帮助这些方程，我说：我现在使用OrCAD（PSPICE模型）模拟设计阶段TOW - OP - AMP的，所以我的方程是：1，晶体管的名字是什么（PMOS，NMOS），必须使用？ examble（POWMOS，突破,...,等），我从图书馆。 2，从那里我得到的参数，将examble（COX，TOX，KP，KN ,....,等）注意的晶体管内：我的设计过程1um的第1级。 3，当我计算（CGS，CGD）方程（CGS，CGD）值将采取CGD =宽*考克斯* XOV或CGD =考克斯* XOV相同的皮质颗粒。在PSPICE capactances becous帖前值将晶体管paramerters内​​。 PLZ我这么多CGD和CGS quation这些CGD = W *考克斯* XOV或CGD =考克斯* XOV相同的皮质颗粒。

 

[atripathi]

你不应该使用powermos为您的应用程序。这些功率MOSFET主要用于电源开关应用的含义。你可以从这些参数代工。这些也可以免费提供基于Web。尝试谷歌

 

[kokor]

感谢你的回答，我可以使用在OrCAD库中发现的突破？什么是晶体管名称使用TOW -级运放？感谢您agine

 

[atripathi]

是的，你可以使用从突破的部分，但是你需要修改模型参数匹配工艺节点。默认参数设置，您可能没有获得预期的效果。

 

[kokor]

非常感谢你agine确定我会使用突破。从那里我可以得到的参数，如（考克斯，KN，KP，TOX ,....等）？但我的设计丝束阶段OP AMP 1U米。

 

[qayyoum]

您好一跳适合罚款，我亲爱的朋友的简短形式1 =功率MOSFET（PMOS）chanal meen的P - MOSFET＆2 =（NMOS）的N - chanal MOSFET（powmos）确定再见

 

[kokor]

亲爱的朋友，我问一个微米的通道参数的长度。无论你是否有给我，甚至有互联网网站，我很感谢你，感谢你对我的帮助。

 

[FvM]

如果你是一个真正的设计设计，你从你的铸造参数。如果它的电路设计工作，询问您的主管或导师。有一些典型的设计参数，在互联网上公布，往往是用于学术目的。如这些[URL = http://cmosedu.com/] CMOSedu.com [/URL] http://cmosedu.com/cmos1/cmosedu_models.txt

 

[kokor]

[报价= FVM; 960014]如果你是一个真正的设计的设计，你从你的铸造参数。如果它的电路设计工作，询问您的主管或导师。有一些典型的设计参数，在互联网上公布，往往是用于学术目的。如这些[URL = http://cmosedu.com/] CMOSedu.com [/URL] http://cmosedu.com/cmos1/cmosedu_models.txt [/QUOTE]可以教我我亲爱的朋友的照片，如果可能的话有以下几种：1 - 计算以下能力CGS，CGD，帐户时，是否考虑到通道宽度上师吗？ 2 - 你能教我如何来衡量的相位裕度和压摆率？我目前正在设计两个阶段的运算放大器。谢谢

 

[FvM]

您可以找到许多相关的讨论阶段的OPS保证金测量在edaboard，如 http://www.edaboard.com/thread220384.html 虽然相位裕度在交流模拟的确定，摆率需要一个短暂的仿真。 OP是在一个确定的放大器配置有线的，例如+1或-1的增益和大信号步骤输入。

 

[kokor]

[报价= FVM; 960339]您可以找到许多相关的讨论阶段的OPS保证金测量在edaboard，如 http://www.edaboard.com/thread220384.html 虽然相位裕度确定在AC仿真，摆率瞬态仿真。 OP是在一个确定的放大器配置有线的，如+1或-1增益和大信号阶跃输入[/QUOTE]感谢你我什么quation之一frind？