为什么每个人都使用PNP，而不是在带隙的二极管？

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图片是简单的带隙，在Q5压降和Q6为Vbe1和Vbe2分别。 Q5和Q6是更换二极管。对不对？为什么每个人，而不是使用PNP二极管，使带隙基准？感谢

 

[Fom]

如果您在确定它的模型，您可以使用二极管。

 

[watersky]

使用双极带隙，其原因是温度。当前的计算公式是双极和二极管之间的不同。

 

[yjkwon57]

使用晶体管，而不是二极管，因为体电阻减少。 [SIZE = 2] [颜色=＃999999] 3分钟后添加：[/彩色] [/SIZE]另外一个原因是相匹配的维度。

 

[Blackuni]

带有PNP相关的问题，尽管它是低噪音相比，其计数器部分。在IC的实现是简单的比别人。谢谢

 

[rfsystem]

在CMOS的N + /亿客/ N +结构IST。布局是一个N +扩散，发射器，周围聚门或LOCOS隔离，然后一个N +环，收集。该基地是亿客。基板是一个额外的终端。所以它是一个4端子的结构。最多只能连接为二极管，但还有其他的带隙电路，使用更加智能化的横向PNP。从而在更多的电路性能。在上述电路中的一个问题是，由于NMOS管的偏置电压的带隙电压蔓延。另一种是由于NMOS的再次PSRR。

 

[ambreesh]

VPNP训练班chracterised比二极管。从不信任训练班“等，更好地铸造的数据测试结构，并获得自己的数据。