B
bharatsmile2007
Guest
大家好,
技术从90纳米到180纳米了迁移。请提供关于这方面的相关文件。
什么是scalling方法?
我知道
, 从90纳米向下来scalling,我们通常得到二阶效应。但是
, 这些问题donot进来180nm技术。
我的问题是,目前我IO缓冲器拓扑与电压水平是90纳米技术1.2V/3.3V。所有scalling什么因素需要从90上升与规模相同的拓扑?至180纳米(但水平1.8V/3.3V的低电压在180纳米)
是否我应该follw全部scalling(恒定场scalling)?或任何方法呢?
请提供一些想法
, 开始是上面提到的这些事情。我希望你needful。
谢谢
微笑
技术从90纳米到180纳米了迁移。请提供关于这方面的相关文件。
什么是scalling方法?
我知道
, 从90纳米向下来scalling,我们通常得到二阶效应。但是
, 这些问题donot进来180nm技术。
我的问题是,目前我IO缓冲器拓扑与电压水平是90纳米技术1.2V/3.3V。所有scalling什么因素需要从90上升与规模相同的拓扑?至180纳米(但水平1.8V/3.3V的低电压在180纳米)
是否我应该follw全部scalling(恒定场scalling)?或任何方法呢?
请提供一些想法
, 开始是上面提到的这些事情。我希望你needful。
谢谢
微笑