Aug 25, 2011 #3 B bigheadfish Guest [报价= suria3]我真的不明白你的问题。请写正确再次使人们可以给自己的输入。[/QUOTE]在极低的电流(即MOS在亚阈值区),电压增益与一个典型的金属氧化物半导体晶体管的ID,MOS的电压增益接近一个常数value.Why?谢谢!
[报价= suria3]我真的不明白你的问题。请写正确再次使人们可以给自己的输入。[/QUOTE]在极低的电流(即MOS在亚阈值区),电压增益与一个典型的金属氧化物半导体晶体管的ID,MOS的电压增益接近一个常数value.Why?谢谢!
Aug 25, 2011 #4 B bamboo Guest 我不明白你的问题,明确。但在亚阈值的MOS地区,我们可以得到ID =木卫一进出口[/ VGS(ζ* VT)] K是一个常数数GM(VGS)=δ(ID)/δ= ID /(ζ* VT)AV = GM * RO≈ID /(ζ* VT)* 1 /(λ*身份证* K)=>影音标识indepedent所以如果你的问题,条件是这样。然后再从AV indepedent标识。
我不明白你的问题,明确。但在亚阈值的MOS地区,我们可以得到ID =木卫一进出口[/ VGS(ζ* VT)] K是一个常数数GM(VGS)=δ(ID)/δ= ID /(ζ* VT)AV = GM * RO≈ID /(ζ* VT)* 1 /(λ*身份证* K)=>影音标识indepedent所以如果你的问题,条件是这样。然后再从AV indepedent标识。
Aug 25, 2011 #5 S scheruku Guest 您好,在亚阈值区域的标识是VGS的exponetial功能,因此,通用汽车公司将直接为Id成正比。因此,在亚阈值区域的增益(GM / ID)是不变的... ...,我希望这将清除您的疑问。 Cheruku
您好,在亚阈值区域的标识是VGS的exponetial功能,因此,通用汽车公司将直接为Id成正比。因此,在亚阈值区域的增益(GM / ID)是不变的... ...,我希望这将清除您的疑问。 Cheruku
Aug 25, 2011 #6 M mickey_melomane Guest 是非常大亚阈值区域的放大器增益...我得到的GM值大约为5ms ...如果是这样,为什么不使用运算放大器在亚阈值区马鞍山... Sidharth