什么是在一个布局密度的错误！

[savithru]

您好

我做我的刚果民主共和国的布局..

它显示了这样的错误

PO.R.3（@闵聚区域覆盖“14％
密度POLYi“0.14打印POLY_DENSITY.log
）

M1.R.1（@闵M1区覆盖率“30％
密度M1xd“0.3打印M1_DENSITY.log
）M2.R.1（@闵平方米面积覆盖“30％
密度M2xd“0.3打印M2_DENSITY.log
）这些错误是什么..

也因此
， 我们必须保持这么多聚或金属..最小值区

你能告诉我怎么偏最小二乘它影响制造芯片..

.. Regards
... savithru

 

[Guest]

[No message]

 

[Shohdy]

嗨，

刚果民主共和国有一些规则的债务是在某些层德尼斯蒂布局没有得到低于或高于某一数值。
通常这些德尼斯蒂规则的存在和聚金属层。
他们并不重要
， 在块级设计，但通常他们采取了芯片组装步骤照顾。

希望这有助于。

关心，
Shohdy

 

[pbs681]

savithru说：

您好我做我的刚果民主共和国的布局..它显示了这样的错误PO.R.3（@闵聚区域覆盖“14％

密度POLYi“0.14打印POLY_DENSITY.log

）M1.R.1（@闵M1区覆盖率“30％

密度M1xd“0.3打印M1_DENSITY.log

）M2.R.1（@闵平方米面积覆盖“30％

密度M2xd“0.3打印M2_DENSITY.log

）这些错误是什么..也因此，我们必须保持这么多聚或金属..最小值区你能告诉我怎么偏最小二乘它影响制造芯片.... Regards

... savithru

 

[atamez]

如上所述，均匀性要求在发生过程中的可靠性。但是你不必须符合规则手动密度，通常有填写
， 以你的工具包
， 将其置于地区伪金属
， 密度太低来工具。

 

[pbs681]

atamez说：

如上所述，均匀性要求在发生过程中的可靠性。但是你不必须符合规则手动密度，通常有填写，以你的工具包，将其置于地区伪金属，密度太低来工具。

 

[Guest]

最大密度正是最低浓度误差相反。如扩散，聚和金属层可能超过在芯片级每特定区域允许浓度。当制造芯片，硅抛光。最好是都通过了所有的片层均匀浓度，因此将打磨均匀。最大密度会导致芯片被打磨不均匀，造成密度低的地区要进行抛光。

 

[ukint]

刚果民主共和国的国旗错误的密度
， 以保持在一定layout.Porosity孔隙度都只是路由之间的比例单元面积总面积。

牢记这一点，孔隙度值已决定在聚金属etc.When您超过了极限，那么这些错误的旗帜密度高达吧！！

 

[gafsos]

的CMP（化学机械研磨）的性病（浅沟隔离）进程已被列为之间的交界处泄漏的情况发生在工商局局长将积极地推动权衡优化
， 是太高了，晶体管的漏电（驼峰效应）的增长
， 其性病/主动步骤是过于消极。但是，性病步骤均匀取决于主动密度均匀， 这就是为什么虚拟（瓦）活跃的领域是强制性的， 如果插入密度constrainsts如数字版权管理所描述的没有达到。