Mar 17, 2000 #2 D dick_freebird Guest 如果你看看集电极电流和集电极载重线 电压的晶体管,它有一个斜坡。如果你的推断 斜坡回到X轴,截距是早期电压。 其效果是来自文件的损耗调制 宽度的collector0base结反向电压(VCB)的。 由于耗尽区的增长,基础宽度变窄。 随着基础宽度缩小,目前的收益上升等 确实 , 集电极电流。 由于集电极电流如下集电极电压,有 似乎是一种平行的“理想电导” 电流控制电流源。这削弱了 阶段增益(克*大胜)。有关优值的增益 在晶体管过程是高炉*弗吉尼亚州(电压测试*早期产品)。 早期的电压提高 , 增加基地的比例 使用兴奋剂对收藏家兴奋剂。但是 , 有自己的成本, 例如 , 通过提高他们做基地掺杂它失去 一些发射器注入效率和寿命的基础伤害, 既成本收益。这样降低它收集掺杂 集电极电阻率和提高钢筋混凝土,使一穷权 设备。 这些行业的所有帐户的排列 部分类型多种多样,在概念上是什么 的设备相当简单的排序。
如果你看看集电极电流和集电极载重线 电压的晶体管,它有一个斜坡。如果你的推断 斜坡回到X轴,截距是早期电压。 其效果是来自文件的损耗调制 宽度的collector0base结反向电压(VCB)的。 由于耗尽区的增长,基础宽度变窄。 随着基础宽度缩小,目前的收益上升等 确实 , 集电极电流。 由于集电极电流如下集电极电压,有 似乎是一种平行的“理想电导” 电流控制电流源。这削弱了 阶段增益(克*大胜)。有关优值的增益 在晶体管过程是高炉*弗吉尼亚州(电压测试*早期产品)。 早期的电压提高 , 增加基地的比例 使用兴奋剂对收藏家兴奋剂。但是 , 有自己的成本, 例如 , 通过提高他们做基地掺杂它失去 一些发射器注入效率和寿命的基础伤害, 既成本收益。这样降低它收集掺杂 集电极电阻率和提高钢筋混凝土,使一穷权 设备。 这些行业的所有帐户的排列 部分类型多种多样,在概念上是什么 的设备相当简单的排序。
Mar 17, 2000 #3 E eecs4ever Guest 在MOSFET的,这种效应被称为沟道长度调制。后讥超过栅极电压-潮气的反演电荷层靠近排水消失 , 我们说渠道捏了。在讥进一步增加将导致在通道反演电荷层收缩 , 从较远的流失,这降低了有效的渠道长度。因此,目前,入侵以来增加其比例为W点点/ Leffective。当L有效降低,我去了。
在MOSFET的,这种效应被称为沟道长度调制。后讥超过栅极电压-潮气的反演电荷层靠近排水消失 , 我们说渠道捏了。在讥进一步增加将导致在通道反演电荷层收缩 , 从较远的流失,这降低了有效的渠道长度。因此,目前,入侵以来增加其比例为W点点/ Leffective。当L有效降低,我去了。