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Samsung zaprezentował swój nowy zaawansowany aparat cyfrowy. Model WB5000 posiada 24 krotny zoom optyczny.
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A
Alles Gute
Guest
当一个新诞生的过程，通常是栅氧化层的厚度也缩小，关键原因是什么？
L
lyrix
Guest
关键原因是改善漏电流和控制短沟道效应。
A
ambreesh
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随着特征尺寸减小我们donot有一维费尔德的概念，但我们有二维场的影响。排水管开始有conciderable效果/影响。 （DIBL）有更多的耦合在器件通过大门，从而stonger和predominat门控制，gateoxide厚度减小9larger电容）希望它可以帮助
A
alvays
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这里有一些建议：。“当减少一MOS晶体管的栅极长度，围绕源极和漏极的耗尽区也有所减少，以避免如电荷共享和穿通缩减了耗尽区的影响，掺杂oncentration基体，可以提高应用的偏差（即电源电压）可以减少。兴奋剂中也基板的阈值电压的增加而增加，这使得它更难以开启装置。为了弥补这门氧化层厚度减少。“
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willyboy19
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从设备模型的角度来看，总的栅氧化层减少，提高了设备，这往往使设备英尺甚至更高（或更快）的流动性。