什么是设计

[shobha89]

嗨大家，
我感到很开心，因为我得到良好的反应
， 从这个网站。我所做的模拟CMOS设计项目，我们使用的是节奏的布局和幽灵的原理图，职业英语运动使用的是内径1.8volts 0.18微米技术的原理图编辑器演奏家工具。但我听到，0.18技术不会放弃对模拟电路正确的结果，是否正确，如果正确how.what是要求做模拟designing.and还听说，0.18微米是0.35u等也访问。
因此
， 我们应该使用的0.18微米技术和3.3volts内径为0.35u技术1.8volts。

一个问题是，什么是CMOS设计。正在改变宽度和长度。如何才能改变宽度和晶体管lengts意味着在什么基础上。是否有输出电压之间的宽度和长度的关系。

我所做的差分放大器的共源共栅电流镜的设计使用，但我不知道如何改变宽度和长度。我使用0.18微米technology.what是增益，带宽和输出级联的宽度，长度，输入电压，偏置电压差分放大器interms电压公式。

请给我回复此邮件shobharani3（上）gmail.com。

thanku

 

[Guest]

[No message]

 

[MSSN]

shobha89说：因此，我们应该使用的0.18微米技术和3.3volts内径为0.35u技术1.8volts。

 

[YingChow]

您好MSSN，

我想知道是否有相关的氧化层厚度不同的技术不同的工作电压？由于0.18微米的氧化更薄，所以电源电压必须降低
， 以防止氧化要冲破？

谢谢您

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="很高兴" border="0" />

 

[snowyoung]

因此
， 我们应该使用的0.18微米技术和3.3volts内径为0.35u技术1.8volts？

 

[YingChow]

您好shobha89，

您可以参阅本书“CMOS模拟电路设计”，在这本书第6.3 expains如何设计两个阶段放大器。从这里u能获得一些有关的步骤来设计运放和延长回合应用知识的想法。

至于有关的W和L的问题，一般来说
， 我们会做这样的阈值电压，钾晶体管的表征
， 以确定参数，沟道长度调制参数。从特征数据，我们可以选择的渠道长度，L具有较低的渠道调制效应（较高RDS）。一旦L是固定的，我们可以大小的W对转基因的要求而定（影响带宽和增益），Vdsat（影响输入共模范围和输出摆幅）等

请纠正我
， 如果我也有错，谢谢

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="很高兴" border="0" />青年学院

 

[stuck_adc]

关于电源电压

我们知道的Vth（阈值电压值）取决于铸造参数和特定的过程中
， 阈值电压值是恒定的。
该特定进程的电源电压可粗略计算4 *阈值电压。即内径= 4 *阈值电压注意： -有一个特定的过程中2种设备： -
1）薄栅-通常为核心的设计使用（1.8V的情况下在0.18微米）
2）厚闸-一般我用/ O设计（3.3V的情况下在0.18微米）关于设计

你可以利用你的小信号电路模型和计算输出电压，增益和带宽..........梅叙雷
， 甚至可以像输出电阻等参数，输入电阻等的准确公式
and ac analysis for the gain and bandwidth analysis
.

或者你可以 做的输出电压和增益和带宽的分析

， 交流分析瞬态分析
。我建议你先看看一个简单的放大器
， 并首先解决它theoritically用小信号模型
， 并得出所有的方程
， 然后把从模拟后
， 得出了方程........ W和升适当的值放大器这将帮助你理解的非常轻松cmplex个CKT。