使用virtex4 DDR2 SDRAM,米格设计

Y

yasamin

Guest
您好,我是一个设计工程师,我想用virtex4 DDR2(微米)的米格设计,Xilinx提供米格控制器,我安装了米格v1.72,并产生了DDR2 SDRAM控制器,其提供的测试数据宽度8,板凳(我用DCM和测试平台的控制器,当我用ModelSim SE6.0a设计模拟,“init_done”信号不积极的初始化顺序是(相应的Xilinx XAPP702)。的校准程序开始人才培养模式,即一个不断振荡(1010)pattern.The控制器执行从内存中连续读取,但它是不写不完!!!!!所以pattern_compare8模块剂量不能断言“COMP_DONE”信号(此信号始终为低电平)。控制器似乎挂起或停留在DQ校准,请帮我。
 
也许,有没有用来做“DQ校准”时做RTL SIM卡的LUT的延迟。所以DQS信号不推迟到正确的点。我觉得。
 
我不熟悉Xilinx的核心,但我希望,校准完成后有时可以接受或失败。至少,这是与来自其他厂商的核心的情况下。核心手册应说明这些东西。可能的情况下,您根本没有等待足够长的,DDR2校准是一个非常耗时的行动,与平时的模拟时间尺度。校准模拟时,您有咖啡的时间(至少一个)。一些内核有一个选项,以减少在模拟的单位的校准,它仍然需要长。
 
virtex4我用米格设计 DDR1的(微米)之前。当我模拟设计的ModelSim SE6.0a,它是确定和有任何问题。但控制器似乎挂起或DDR2 DQ校准卡住。我等待模拟400我们。它是足够长的时间,因为核心的手动校准时间约为250us。
 
您好yasamin,我也得到了相同的,但在Virtex - 5,问题是在内存中的代码(微米记忆体核心),所以不必担心尝试与Cypress记忆体相同的程序,有没有问题,在RTL米格genearted将得到的信号和你有任何进一步dobut的给我打电话09943589300关于卡特桑
 
您好,我确实不明白您的建议的解决方案:?:我只模拟了用ModelSim(没有硬件)的设计。所以有任何赛普拉斯存储器和微米内存之间的不同,因为我只用这是由米格产生的内存模型。与DDR2已经解决问题了吗?你能指导我更多吗?感谢为问候
 

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