保护环周围PMOS管

[dac5bits]

当PMOS管源连接到井边消除体效应（标准CMOS N阱过程）应保护环周围的PMOS的是一个n良好的联系VDD或底物接触环连接到VSS？

感谢您寻找。

 

[Guest]

[No message]

 

[fredflinstone]

基板接触电阻降低了乌拉圭回合基板
， 因此任何噪音的设备投放到潜艇将低阻抗路径接地。

如果你有一个阱的最小间距护圈那么它将隔离噪音隔离到达提供设备外部设备。

所以
， 如果你既要隔离以及防止产生PMOS器件那么它的更好的噪音等电路基板康恩提出一个戒指
， 然后到GND首先围绕这n阱护圈连至VDD。

 

[dac5bits]

fredflinstone说：

基板接触电阻降低了乌拉圭回合基板，因此任何噪音的设备投放到潜艇将低阻抗路径接地。如果你有一个阱的最小间距护圈那么它将隔离噪音隔离到达提供设备外部设备。所以，如果你既要隔离以及防止产生PMOS器件那么它的更好的噪音等电路基板康恩提出一个戒指，然后到GND首先围绕这n阱护圈连至VDD。

 

[fredflinstone]

做这些PMOSs集形成一个电流镜？那么它的最好将其放入附近的每一个更好的匹配等。既然你告诉他们只有共同的门和S端子和D不是共享你必须放置在不同n水井他们。如果电路交换活动是至关重要的
， 那么你必须拥有潜艇的接触
， 以及为n和后卫每个MOSFET周围环。

我没有什么想法你有电路。不过
， 如果它一个安静的电路
， 需要其他块孤立
， 那么你可以摆脱只有一个阱的最小间距约在PMOS晶体管一大堆护圈。

 

[dac5bits]

fredflinstone说：

做这些PMOSs集形成一个电流镜？
那么它的最好将其放入附近的每一个更好的匹配等。
既然你告诉他们只有共同的门和S端子和D不是共享你必须放置在不同n水井他们。
如果电路交换活动是至关重要的，那么你必须拥有潜艇的接触，以及为n和后卫每个MOSFET周围环。我没有什么想法你有电路。
不过，如果它一个安静的电路，需要其他块孤立，那么你可以摆脱只有一个阱的最小间距约在PMOS晶体管一大堆护圈。

 

[fredflinstone]

那么我认为您可以使用一个新乐ñ以及守卫四周环块。怎么把ü只需要担心来自块外部电流镜块衬底噪声耦合。个人PMOS管的PMOS的孤立不得要求。

btw，为什么ü要短的来源和这些PMOSs栅极？你可以连接所有backgates至VDD。这可以帮助您节省一些芯片面积。

 

[dac5bits]

fredflinstone说：

那么我认为您可以使用一个新乐ñ以及守卫四周环块。
怎么把ü只需要担心来自块外部电流镜块衬底噪声耦合。
个人PMOS管的PMOS的孤立不得要求。btw，为什么ü要短的来源和这些PMOSs栅极？
你可以连接所有backgates至VDD。
这可以帮助您节省一些芯片面积。