偏置混频器和VCO：关于偏置和电抗器的问题

[STOIKOV]

我将表征混频器和VCO（900MHz时），并有大约偏置有些疑惑。我需要以下电压： - 为VDD 3.3V和5V的目的 - 1.2V和2.56V偏置，在MOS门应用 - 变量0 - 5V调整VCO的频率，在MOS门适用于我的计划是使用电池并获得通过低噪声低压降稳压器所需的电压，放置在PCB上。我读过，RF扼流圈用于传递到直流电路和射频电路从抑制。我的问题是： - 在此工作频率所需的电抗器，或者它不是关键？ - 在上述所有的电压需要的电抗器？ - 我会需要一个每直流输出RF扼流圈？ - 如何将一个简单的方法来实现一个瓶颈？电感器，电感器+并联电容器，电感器+电阻+并联电容器？ - 关于元件值（L，C）是什么？谢谢！

 

[STOIKOV]

还有更具体的，如果我描述一个环VCO，我想一个RF扼流圈之间直流电源或电池和MOS电路（如图所示）必要的，因为在该节点上可能存在的RF。怎么样直流控制电压，也应该有这样的电路实物或不需要？谢谢！

 

[BigBoss]

不，Vcontrol不需要窒息或类似的电路隔离，因为很低戴高乐capacitance.If您使用电压源来驱动尾电流RF和DC，这将是约。短路交流小信号等效。

 

[STOIKOV]

你的意思之间的门和源电容？或戴高乐？门将会助长了直流变量的来源。

 

[BigBoss]

[报价= STOIKOV]你的意思之间的门和源电容？或戴高乐？门将会助长了直流变量的来源。[/QUOTE]我的意思是Cdrain门..此外，当电路是很好的平衡，不会有任何的differantial点共同驱动点的射频信号，使这个节点“伪地”交流信号..

 

[STOIKOV]

我看到BigBoss，怎么样VDD节点，它说，可以通过它流射频由于射频漏极节点存在。模拟器仅显示在此节点直流电压，也许是因为电源设置为理想？

 

[BigBoss]

[报价= STOIKOV]我看到BigBoss，怎么样VDD节点，它说，可以通过它流射频由于射频漏极节点存在。模拟器仅显示在此节点直流电压，也许是因为电源是为理想的设置？[/QUOTE]当然，所有理想的直流电源是短期交流signals.That的短路为什么不会在有任何交流成分，很明显... ...但在实践中，每一个直流电源已在根据供电质量电阻和电感，但在一般会有更多或更少be.To可避免的，将被从其他来源perturbated用品和影响，“decopuling”连接必须很好maintened。为了取得好成绩，在实践中一些decopuling电容并联used.Inductances不是最好，由于其自身的共振频率。我不知道哪个频率上工作，但你也左右的去耦电容的自谐振频率小心。最后，甚至在你从来没有使用simulations.Use总是等同组件的理想元件，看到现实的结果..

 

[STOIKOV]

射频扼流我想在我的监管机构的产出用于VDD的目的是： http://www.minicircuits.com/ADCH-80.pdf 下面的电路从一个单一的输入转换差分输出。 INPUT_1及其应用偏见通过偏置发球，而在INPUT_2只有一个直流电源两极化的晶体管。我认为这最后的直流电源不需要呛？