关于微波功率放大器偏置电路问题

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大家好:

我需要设计一个功率放大器14 - 16GHz的。我决定使用EID1416 - 12。这是一个内部场效应管匹配功率FET。它的几个参数的连续状态显示如下:讥= 10V的栅极电压3V的ID已=-(一分贝)=第4A(最大= 5A)条克(一分贝)= 5分贝。我们可以发现它具有很高的通道电流。因此
, 我希望有人可以给我有关其直流偏置设计或其他人
, 我需要notice.Thanks一些建议!

关心
凯日曼

 
有一种偏见应用笔记这里:

http://www.excelics.com/MFET%20APP%20NOTE.pdf

 
您好

我想设计偏置砷化镓场效应管网
, 使任何人知道如何设计偏置网络
, 如何检查设计的偏置网络是否正确..我设计的偏置网络
, 但我不知道如何检查我的偏置网络是否正确

 
邮政的原理图和布局
, 以便在这里我们可以看一看。

 
喜所有

即时附加示意图。所以plz给我一个答复...http://www.edaboard.com/viewtopic.php?p=744800#744800

 

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