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abcyin

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您好，所有

下面的图显示了两个放大器，给他留下了PMOS的负荷
， 同时积极与一个NMOS有源负载正确的，我们总是用PMOS的负载，我是什么困惑我可以使用负载的NMOS管，有什么它们之间的区别，还是有与PMOS管负载任何好处？

Thx提前！
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您好abcyin，

但由于阱的最小间距与NMOS管过程中身体的影响很大，所以输出摆幅与NMOS管的负载限制。

 
", however, I got a message from your reply, the large body effect will increase the threashold voltage of the NMOS load, then compress the swing, am I right?

但我用P -分，也没有在这个过程中阱的最小间距，你怎么了“的 过程中

， 由于阱的最小间距
”NMOS管大型体效应意味着，我从你的答复，大机构的影响将增加一条消息threashold NMOS管电压的负载，然后压缩秋千，是吗？

和任何其他原因？

 
n阱中使用的P -分，因此n -和p的进程中，子过程是相同的。由于体效应的NMOS管阈值电压大
， 敏感
， 正电源。没有这个在阱的最小间距PMOS管与连接到源阱的最小间距接触问题。

 
我不认为有很多分歧。Diffremnce是PMOS的负荷用于加载NMOS管的电流
， 同时利用来提供电流。在这个意义上NMOS管为源和PMOS负载使用负载工作得到输出。

 
abcyin说：

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但我用P -分，也没有在这个过程中阱的最小间距，你怎么了“的 过程中
， 由于阱的最小间距
”NMOS管大型体效应意味着，我从你的答复，大机构的影响将增加一条消息threashold NMOS管电压的负载，然后压缩秋千，是吗？和任何其他原因？
 
digito说：abcyin说：

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但我用P -分，也没有在这个过程中阱的最小间距，你怎么了“的 过程中
， 由于阱的最小间距
”NMOS管大型体效应意味着，我从你的答复，大机构的影响将增加一条消息threashold NMOS管电压的负载，然后压缩秋千，是吗？和任何其他原因？
 
abcyin说：

您好，所有下面的图显示了两个放大器，给他留下了PMOS的负荷，同时积极与一个NMOS有源负载正确的，我们总是用PMOS的负载，我是什么困惑我可以使用负载的NMOS管，有什么它们之间的区别，还是有与PMOS管负载任何好处？Thx提前！
 
digito说：abcyin说：

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但我用P -分，也没有在这个过程中阱的最小间距，你怎么了“的 过程中
， 由于阱的最小间距
”NMOS管大型体效应意味着，我从你的答复，大机构的影响将增加一条消息threashold NMOS管电压的负载，然后压缩秋千，是吗？和任何其他原因？
 
让我补充一，当您使用NMOS管连接到Vdd，公共服务电子化是一个问题。安全应该向水库

 
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