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abcyin

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您好,所有

下面的图显示了两个放大器,给他留下了PMOS的负荷
, 同时积极与一个NMOS有源负载正确的,我们总是用PMOS的负载,我是什么困惑我可以使用负载的NMOS管,有什么它们之间的区别,还是有与PMOS管负载任何好处?

Thx提前!
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您好abcyin,

但由于阱的最小间距与NMOS管过程中身体的影响很大,所以输出摆幅与NMOS管的负载限制。

 
", however, I got a message from your reply, the large body effect will increase the threashold voltage of the NMOS load, then compress the swing, am I right?

但我用P -分,也没有在这个过程中阱的最小间距,你怎么了“的 过程中

, 由于阱的最小间距
”NMOS管大型体效应意味着,我从你的答复,大机构的影响将增加一条消息threashold NMOS管电压的负载,然后压缩秋千,是吗?

和任何其他原因?

 
n阱中使用的P -分,因此n -和p的进程中,子过程是相同的。由于体效应的NMOS管阈值电压大
, 敏感
, 正电源。没有这个在阱的最小间距PMOS管与连接到源阱的最小间距接触问题。

 
我不认为有很多分歧。Diffremnce是PMOS的负荷用于加载NMOS管的电流
, 同时利用来提供电流。在这个意义上NMOS管为源和PMOS负载使用负载工作得到输出。

 
abcyin说:

", however, I got a message from your reply, the large body effect will increase the threashold voltage of the NMOS load, then compress the swing, am I right?
但我用P -分,也没有在这个过程中阱的最小间距,你怎么了“的 过程中
, 由于阱的最小间距
”NMOS管大型体效应意味着,我从你的答复,大机构的影响将增加一条消息threashold NMOS管电压的负载,然后压缩秋千,是吗?和任何其他原因?
 
digito说:abcyin说:

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但我用P -分,也没有在这个过程中阱的最小间距,你怎么了“的 过程中
, 由于阱的最小间距
”NMOS管大型体效应意味着,我从你的答复,大机构的影响将增加一条消息threashold NMOS管电压的负载,然后压缩秋千,是吗?和任何其他原因?
 
abcyin说:

您好,所有下面的图显示了两个放大器,给他留下了PMOS的负荷,同时积极与一个NMOS有源负载正确的,我们总是用PMOS的负载,我是什么困惑我可以使用负载的NMOS管,有什么它们之间的区别,还是有与PMOS管负载任何好处?Thx提前!
 
digito说:abcyin说:

", however, I got a message from your reply, the large body effect will increase the threashold voltage of the NMOS load, then compress the swing, am I right?
但我用P -分,也没有在这个过程中阱的最小间距,你怎么了“的 过程中
, 由于阱的最小间距
”NMOS管大型体效应意味着,我从你的答复,大机构的影响将增加一条消息threashold NMOS管电压的负载,然后压缩秋千,是吗?和任何其他原因?
 
让我补充一,当您使用NMOS管连接到Vdd,公共服务电子化是一个问题。安全应该向水库

 

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