关系Vdssat和Vov

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jordan76

Guest
你好,我们知道,漏源饱和电压Vdssat是不一样的过驱动电压Vov(=的VGS - Vth的)相同。但是,它们之间有什么关系?我们怎样才能获得从模拟Vdssat?提前感谢!问候,jordan76
 
嗨Jordan76,我希望大家都同意,VDsat(分钟),必须保持在饱和晶体管的最低Vds的。你总是希望Vds的(分钟)> Vov。你也可以发现一些没有模拟Vdsat(分钟),看运放成2阶段在Allen伯格设计的范例。我相信你一定注意到了,对于一个笑着共同的来源有一个活跃的负载电流源放大器,可以不给前模拟两端的Vds的。对于一个diffamp尾电流源,我们可以肯定说,这将是它的VDS的输入电压范围高达只要知道钛希望帮助
 
嗨ambreesh,谢谢,但是我恐怕你可能击败布什的错误::其实我的问题是与Vdssat和Vov而不是VDS和Vdssat关系。我的一个朋友对我说,托莱长通道MOSFET晶体管,Vdssat = Vov,但对于短沟道MOSFET晶体管,这并不能成立了。因此,它带来了我对Vdssat和Vov之间的关系问题。问候,jordan76
 
Vdssat是当它到达捏在通道关闭。的VGS - VT是刚刚在反演下栅氧化层通道所需的潜力。这通常是根据氧化物掺杂函数与基体的潜力。对于较短的通道,你有一个更早Vov长通道相比。这是因为漏极和源极之间的距离更近,因此它创建了一个更高的电场。这使华东电网领域最大输出速度为在较低Vds的,而且inturn原因掐断。
 
您好Jordan76,按照你的提问,VDSsat是漏源电压的MOS晶体管。既然是自愿离职计划,而不是VDSsat据我所知。 Vov =的VGS - Vth的作为VDSsat(分)是观察低于Vov(由10至20 mV EG)和晶体管在饱和所示。请遵守为该Vds的晶体管(=的VGS - Vth的GDS中
 
谢谢你们。您好ambreesh,[报价]就可以找到没有模拟Vdsat(分钟),切成2阶段在Allen霍尔伯格运放设计例子。 [/报价]对不起,我还是不明白。你能解释更多一点吗?然后,我有另一个手工计算的问题:我们应该使用Vov或Vdssat(分钟)来计算平方律ID吗?顺便说一句,我帮我点击了按钮^ _ ^问候,jordan76
 
嗨Jordan76,我们总是用Vov来计算的W / L的你会观察到,当你看到的直流工作点参数,VDSsat(分)非常接近Vov你们期待已久,曾经是最饱和设计。谢谢
 
Ambreesh,能解释的GDS之间的关系,vov(的VGS - Vth的)和vdsat多一点。如果我有一个装置,具有vov> vdsat(由为100mV)和VDS> vov(由500mV的)和设备证明是处于饱和状态。在GDS中寻找什么告诉我?什么是GDS的含义在这种情况下(为适当的电流源电阻)。如果我有一个WHERE vovvod(由500mV的)设备和设备据报道,在饱和。全球分销系统意味着什么在这种情况下?。此外,如果我想找到的保证金每个设备都有,正如你以前回答说,我将不得不在自愿离职计划,vov看=保证金? AA型
 
对于长通道,Vov = Vdsat,IV曲线看起来sqare法律。如果相同Vov如上,短通道设备,Vdsat <Vov因为更高的现场及IV曲线线性样子。
 
我同意Vov = Vdsat只长通道设备...但什么是短通道器件的关系?
 
嗯,我想有必要寻找那些关系到船舶的设计更可预测的方式在你的电路。因为在亚微米器件的速度饱和vdsat <vov,晶体管进入饱和状态要早得多。我建议你绘出的VGS - Vth的曲线,并与vdsat在它的曲线拟合。 (它可以被席卷电路的直流分析VGS和表演,节约每一个扫描点vdsat做),你将最终获得与一些常数问题的研究。这些常量是依赖技术,将不同的相同的技术节点,甚至不同的铸造厂。请与我们分享您所有的结果:)
 
我不认为这个问题实际上是serious.as只要我们知道马鞍山是在饱和与否是不够的。 [大小= 2] [颜色=#999999] 1分钟后新增:[/彩色] [/尺寸]在饱和长通道设备的VGS - VT的= VDSAT。
 
嗯,我认为其重要,它可以帮助进入设计更深入的了解,或者说让你的电路调味之前我们已经知道了马鞍山的。
 
我已经忘记了正式回答这个问题,但我知道如果你想获得一个完整的答案,这一点,请阅读文字书“运作和MOS晶体管模型”由Y. Tsividus。如果你只需要一个1 - ST订货评估后,只有约vov担心。如果你正在运行模拟,请比较VDS和vdsat。如果你想calcuate输出电阻,使用GDS的倒数。 (后者为2分我学到了什么,从我的老板。我不记得的原因了。)
 

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