功率放大器

R

reilei

Guest
当我设计的功率放大器，我发现使用在数据表中的典型电路有时会导致不良result.Furthermore，建议微带电路总是显示它在EDA表现不佳simulation.How
做这件事呢？，你介意告诉我怎样能得到正确的PA电路的设计。
顺便说，巴勒斯坦权力机构晶体管我所用的
爱立信和摩托罗拉。

 
请更准确的设计规范
， 包括带宽，输出功率水平和晶体管使用。您是否尝试过模拟与MicrowaveOffice？

 
这是很难表现出良好的建议
， 而不必对任何有关您的设计细节的知识，但它好像是一个高频功率放大器。一般来说，正确的电源去耦是在实际电路必需的。此外，请记住
， 对于频率范围功率放大器：拧电容器的行为不一定完美。此外，数据表规格往往是典型的价值
， 并可能在现实中样本之间的明显偏差。还必须注意不要通常认为小细节，例如过孔将小电感工作频率非常高。类型的circuitboard层压板也有效果。通常使用的特富龙板。微带电路设计考虑epsilon_r，这对各种电路板的材料不同。

 
我使用MRF21125（摩托罗拉）LDMOS功率晶体管和电路的工作频率为2100M - 2170M.The软件
， 我以前的模拟微波办公室（版本4.02）和ads1.5.The数据表提供三个输入和输出Impedancefor 2100M，2110Mand 2170M，当我使用这些参数来模拟在数据表中
， 我发现效果并不ideal.Now我认为
， 在巴勒斯坦权力机构设计中使用的输入和输出阻抗为S参数模拟电路的建议（s11，s21，S12的，s22）不不够，我应该怎样使用参数和我应该怎么模拟
， 以获得最好的PA的PCB板的性能，谢谢！
 
首先，你必须选择你的巴勒斯坦类
， 如A，从头，乙，丙，F，G这，小时，汞...这意味着不同的选择...说
， 我们选择A级
， 这意味着你有偏见在第六人品学中的晶体管...您的频率范围为2GHz的我不会用
， 但集中分布常数（电容器，电感器...）
您在巴勒斯坦权力机构
， 一般匹配的输入和调整s22有最高PAE的（这是一个数量看...）给我的配置你想用i''l给看一下...附属的

 
PA是始终工作在非线性地区，线性模拟S参数没有在行动上使用。
你还是你必须使用非线性模型来模拟乌尔电路。SPICE模型通常将工作做好，有U呢？
在最低工资条例，可以放置乌尔自我非线性lib虽然只是在部分窗口
， 而在托，和美国必须输入每个参数。

祝您好运。

但我仍觉得这是没有用的花了很多时间来设计和模拟的S参数的manufactue提供的，只是小信号，
和他们提供的SPICE模型是accutate也不够。只需按照应用笔记，使用相同的电子阻抗姊长度mictosrip，与价值成正比1/frequency的cappacitors。
这是确定。
 
但是要记住，如果你使用非线性模拟
， 你最好做一个音模拟。我建议你也看看品功率输出曲线，这表明，压缩点，在谐波水平
， 应保持不高和PAE的=功率输出/（引脚 PDC的期待）

 
为什么没有人提的大信号分析。人们不能有一个准确的输出压水堆只读依靠小信号和S -杆的小信号。

只有那些谁不知道，设计的大信号分析的一个PA包括执行一个负载牵引分析
， 以确定Zopt。然后
， 您匹配有赖于此。有步骤如下
， 但如果你去DesignGuideLine在A / D / S和同时一些书籍（沃克为1），那么您可能会收到以下正确。
如果需要更多信息，请咨询。

 
怎么样的偏见的情况？

收集器/漏极电流？吓/内径？

 
一般来说，高漏极/集电极电压，更大的权力
， 可以在负载发展（（戊^ 2）/ R）的。此外，更高的电流，高功率（（我^ 2）* R）的。显然
， 设备不能处理无限的电压/电流
， 因此您必须选择一个适合。你通常是套牢在虚拟通道连接
， 因为也许你正在做的手机所以你只有3伏特。然后
， 你必须有较高的电流。如果你的功放是100％有效，然后内径*国际直拨电话将您的输出功率。但事实并非如此
， 所以你需要自其余的直流电源电压或电流失去了晶体管放大器的热效率。
我同意，S参数和线性仿真这里没有多大用处。您需要使用谐波平衡和源/负载拉模拟来进行工作的权利。

 
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