区域结构封顶类型的高效妈妈

[sgunupuri01]

大家好，任何一个可以告诉我什么，可能是最好的价值上限可以通过选项 [我]妈妈得到[/我] [/乙]每选项 [我]平方微米[/我] [第/乙]。提前感谢

 

[erikl]

[报价= sgunupuri01]任何一个可以告诉我这可能是最有价值的上限可以通过选项 [我]妈妈得到[/我] [/乙]帽每选项 [我]平方微米[/我] [/乙]。 [/报价] ç =（ε0εr* 1微米²）/ t_iso对于0.18微米工艺，例如εr≈7; t_iso≈300nm的; ==>的C /地区≈0.2快进/微米²栅氧的积累达到上限≈3fF/μm²，这个过程技术。

 

[timof]

[报价= sgunupuri01]大家好，任何一个可以告诉我什么，可能是最好的价值上限可以通过选项 [我]妈妈[/我]获得[/乙]帽每选项 [我]平方微米[/我] [/乙]。在前进[/报价]以下为90纳米技术和感谢，电容的MOM电容密度可高达2 fF/um2高。 （IBM公布的1.73-1.76 fF/um2价值多篇论文，而且它可能在现代技术的更高）。据联电，MOM的电容密度超过了MIM电容器（“65纳米高频低噪声CMOS为基础的RF SoC技术”，杨英才，丁华，黄唯尔电机工程学报电子器件，57卷，第1期，2010年1月页（补）：328 - 335）。电容比由Eric产生的价值更高，因为许多金属层的MOM使用的电容，在先进的节点之间的距离更小的金属（〜0.1um），纵向和横向电场通量可以使用（即使介质常数大于7.0低 - 这是〜3.9 SiO2和先进的低K后段制程技术2.5-2.9）。

 

[deepak242003]

[报价= erikl] ç =（ε0εr* 1微米²）/ t_iso对于0.18微米工艺，例如εr≈7; t_iso≈300nm的; ==>的C /地区≈0.2快进/微米²栅氧的积累达到上限≈3fF/μm²在这个过程中高新技术。[/报价]我dourbt，是否考虑到横向（边缘电容）还注意到???..是否有任何方法来估计像（叉）结构..???:?::?:电容或梳织

 

[erikl]

[报价= deepak242003] ...我怀疑，是否需要考虑横向（边缘电容）也???..[/报价]你是对的，这取决于该地区仅包括电容。 [报价= deepak242003]有任何方式估计电容梭织或类似（叉）结构..???:?::?:[/报价] PDK的实况梳通常国家的边缘数据，也赛格台积电0.18 μ电气参数如下（由MOSIS出版）。

 

[deepak242003]

我们需要添加这个边缘重叠电容电容以获得总限额..？？ nyways的THX很多埃里克.... ：）

 

[erikl]

[报价= deepak242003]我们需要添加这个边缘电容重叠？ [/报价]当然，如果你需要一个非常精确的提取。而这还取决于对总的边沿帽帽的贡献：第数组或手指的结构贡献较大比例上限边缘比（单）块帽总限额。如果边缘帽的贡献超过 - 说 - 0.1％，你必须考虑它在一个10位转换器案的贡献，因为不准确匹配的上限，否则就不会出现了，你可能不会承认减少由此引起的ENOB 。

 

[timof]

请注意，分隔成区和边缘的总电容（以及其它）组件是不是一个严谨的方法来计算电容。这仅仅是一个方便的逼近，使估计电容。它没有考虑到的电容，其他二阶效应（即在场的每个角落的布局，或复杂的形状）的环境，所以它的精度可能不低于百分之几（或更糟）更好。精确的电容计算（对一个精度高于百分之几好）需要解决拉普拉斯方程和积分电场或费用，而且一般情况下是不可能有意义地分成部分组件的总电容。