半导体退化

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Singapura

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在我看来,随着设备的老化,其电流消耗的增加。这可能是由于半导体分立和集成电路的印刷电路板组件中发现的特点。是否有处理这个问题的任何白纸或引用吗?我在哪里可以找到呢?感谢协助。
 
它更可能旁路和电源滤波电容器的漏电流增加。特别是如果他们是两极化的类型。
 
在电子行业中,每个设备可以指定的操作取决于他的经营状况,制造工艺(掺杂过程简介,),在交界处的热设备与维等,交界层扩大和触摸任何最终接触时,必须故障。任何一个重要的晶体管/部件出现故障的芯片,芯片的生活废气的任何结果。
 
半导体总值高的电源电流,但往往不能归结案件。老化效应的可能性,以减少电流增加。压力的影响,亦同。在部分问题的唯一制造商lifetest数据会给你任何相关的指示。我已经看到了“走出去”的细分,并显示较低的滥用后泄漏的PMOS器件。你真的不能一概而论,有益的。吨比你想的更多信息IEEE可靠性物理社会的出版物,但它的所有lawyered。
 

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