半桥驱动器IC的工作帮助请

[themaccabee]

嗨，我想了解半桥驱动器集成电路，正在从国际整流器或类似的IRF211XX系列提供..我已经有了两个N沟道MOSFET，高边MOSFET的漏极连接到VDD = 28V，它的源连接到低压侧MOSFET的漏极和低边MOSFET的源极接地。负载驱动由点在高侧FET（其中流失的低边连接）源。 I D很想知道如何IRF集成电路驱动的高侧FET或如何为高端的VGS正在提供..？我觉得高侧FET栅极应至少由一个电压供电的Vgs = 28V +门槛不说对不对？是否会产生这些IC是由自己或我应该做一些事，设置门电压？（因为不同的MOSFET的变化正确的VGS疑惑？）有人可以解释我或者帮助我找到一个差不多的教程..感谢和问候

 

[leo_o2]

是的。它需要28V + VGS。在大多数情况下，它可以由本身的自举的原则。

 

[themaccabee]

在引导的原则。

u能请解释一下..这是我从一个电路IR2110数据表获得..有一个自举电容为u已经提到，但我不明白它的工作...此外，负载是从低边FET的漏..我想简短的低边高边源漏极和控制信号，它与TTL ...我只想开关设备..即ON或OFF不喜欢从一个快速开关波形..感谢您的帮助...关于[URL = http://images.elektroda.net/14_1304344362.jpg]

[/URL]

 

[leo_o2]

VB和VS之间的电容，自举电容。当Vs被拉低，将收取的电容器之间通过Vcc和VB二极管。然后，当VS被拉高，VB会耦合到VS + VC。 Vc是cpacitor电压，充电时VS低。

 

[themaccabee]

[URL = http://images.elektroda.net/19_1304361842.jpg]

[/URL]我刚刚添加的功能框图与该太..对不起，我coulnt仍然得到完整的画面... ...由于第二季度是通过diode.At的Vcc同时我相信，何＆VS将被连接在一起，从而为Q1的Vgs将是零和Q1将OFF.But如何解释下高方就收费上限关于程序FET ..？进出口困惑..有人可以帮助表示感谢

 

[leo_o2]

VCC通过二极管将收取的上限。

 

[themaccabee]

Okie ...因此，尽管第二季度偏低在VS中拉到地面...＆从而引导帽收费及上限电压会出现在VB。现在Q2被关闭和何连接到VB即引导CAP。现在VS是浮动的权利？然后VB应用到何与一个潜在的下降产生源之间浮动在Q1和Q1 gate.Will本回合？如果它在Q1导通Q1的（VS）源会慢慢获得漏极电压28V，即在这里...这将拉动VB这是坐在VS，至28V + VB，足以维持Q1导通。这是正确的程序..？请纠正我，如果IM错误。谢谢

 

[leo_o2]

Okie ...因此，尽管第二季度偏低在VS中拉到地面...＆从而引导帽收费及上限电压会出现在VB。现在Q2被关闭和何连接到VB即引导CAP。现在VS是浮动的权利？狮子座：当议员是连接到VB，Q1将被打开。所以，VS会拉高。这是 [COLOR =“红色”]不[/COLOR] 浮动。由于Vs是拉升，VB将转向由VB和VS之间的上限。