A
Allin
Guest
大家好，我已经遇到了一个关于共源共栅电流镜，PMOS的级联（3毫安）和NMOS级联（3毫安）从相同的偏见不匹配的问题，但不匹配的测试表明，近15％！，PMOS的是更大的很多。有人满足这种现象呢？它使我着迷！任何建议或想法？非常感谢。
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
J
jgk2004
Guest
如何过载时，NMOS和PMOS比较吗？他们一样吗？
A
Allin
Guest
PMOS的近300mV的，而NMOS管是近200mV的。 [报价= jgk2004]如何为NMOS和PMOS的过载时，比较？他们是一样的吗？[/QUOTE]
J
jgk2004
Guest
如果我是你，我会令他们相同的。您想N和P有相同的强度，所以当连接到一个高阻抗，不会赢得比其他....我想说，如果你连接你现在有一个高阻抗节点，它将铁路高或抵消高....这是坏！
D
dick_freebird
Guest
随机不匹配，可能会更糟糕，但你应该比较短通道和作业点的影响（如试点W / VDS = VGS和VDS = VDD的奴隶）将产生的系统不匹配。除此之外，你想要推sizings压低随机不匹配。
S
skowe26
Guest
检查晶体管的尺寸（W / L的）。
A
Allin
Guest
非常感谢，VDS差异很小，我已经检查。全角预仿真和提取的仿真显示的不匹配是非常小的。我检查的布局，主晶体管和奴隶有一段距离，这将是不匹配的主要原因？电流过大，可能与当前的不匹配增加？假设电流镜是为100uA 101uA，它的规模的10倍，将是1000U：1010u，我怀疑它。 [报价= dick_freebird]随机不匹配可能会更糟，但你应该比较短通道和作业点的影响（如试点W / VDS = VGS和VDS = VDD的奴隶）将产生的系统不匹配，的。除此之外，你想要推sizings压低随机不匹配。[/QUOTE]