去耦MOS电容器

[angyp]

比较MIM的第MOSCAP（金属氧化物半导体晶体管），这是更适合用来作为片上的去耦电容？为什么？

 

[uladz55]

嗨，MIM（如P1 - P2的）电容更稳定，为不同的电压，然后MOSCAP。但MOSCAP电容器高得多（近10倍）比电容。乌尔的选择。

 

[koka]

嗨〜栅极漏电流是在选择去耦电容MOSCAP的关注antoher。 IO MOSCAP可以提供更小的漏电流，但你会付出更大的面积，以完成特定的电容，核心MOSCAP有相反的关系。这是由于栅氧化层厚度。 MIM具有非常小的漏电流（〜PA），但额外的面具是必要的。

 

[uladz55]

MIM电容为什么需要额外的面具？ U可以用我，我附带电容。它的resonable更高的过程，然后0.35。

 

[maxwellequ]

几点注意事项：1。 MOSCAP有一个更大的电容同一地区。 2。虽然这是事实MOSCAP的电容随外加电压，如果是供应之间的连接有没有这样的问题（因为VDD有足够的VT较大的变化是小）。 3。 （门）泄漏MOSCAP目前相比，你的电路的电流消耗通常是可以忽略不计。 4。通道的阻力是非常有用的潮湿的振荡（去耦电容和电感的bondwires的谐振电路）。您不必在MIMS。因此，MOSCAP是最好的去耦。最后：5。你需要一个额外的屏蔽，使MIM电容。 MIMS我- ME电容器，因为他们的每单位面积的电容较大（约4X - 10X我我盖的结构而定）是可取的。此外MIMS电容值要好得多比我- ME电容器（角落电容的变化较小）的电容控制。次数最多的是，即使没有我我电容器的特性。最后MIM帽匹配通常会更好。这是为什么，在某些设计中，你最终支付额外的掩模。关于

 

[terryssw]

如何比较linerity和单位面积电容聚聚第MIM第呢？

 

[jordan76]

首先，双聚不是通常availabe在一般的CMOS工艺。其次，聚聚每单位面积的电容是比它小得多的氧化层厚度的MIM由于大。线性方面，都是很好的候选人。的问候，jordan76

 

[CTT]

嗨，你不也有一个公共服务电子化“的问题吗？ MIM电容将亨德尔远远高于MOSCAP在一个公共服务电子化“ZAP。您可能会得到更好的公共服务电子化“的表演，如果你正在做一个工业设计。铁通

 

[jordan76]

嗨，铁通，上面我的回答是只针对terryssw的问题“如何聚聚帽和MIM linerity和单位面积的电容？第之间的比较”。我同意你的MIM电容将处理更高的ESD电压。的问候，jordan76

 

[take_care00]

您好所有，聚聚电容主要是用来模拟设计，例如，以弥补多级放大器。照顾。

 

[xinsu]

在一般情况下，MOS帽和聚第是在模拟电路中使用越来越高的价值股; MIM在数字电路中使用。