发射面积乘以Hspice的因素

[jacobliu]

嗨，
在HSPICE的晶体管模拟，有一个参数“区”。

以下是本手册的HSPICE的参数描述：
发射极面积乘以因素影响电流，
电阻和电容。默认值= 1.0。
＆
该区参数，发射区归，所有的电阻和分
乘以电流和电容所有。

我有一个垂直晶体管SPICE模型，发射极面积为5 * 5，基地面积为11 * 11。
什么是价值
， 我应该用HSPICE的仿真？
或者，它不是在带隙基准模拟临界参数？

关心，

 

[Guest]

为人民民族党5 * 5的模式将被用于从你的模型文件。
所需的参数将被传递到HSPICE的仿真引擎。
不要打扰它你自己

 

[jacobliu]

安布雷说：

为人民民族党5 * 5的模式将被用于从你的模型文件。

所需的参数将被传递到HSPICE的仿真引擎。

不要打扰它你自己

 

[Guest]

如果您使用的是有多个手指同时说，8进步党yopu必须通过在HSPICE的网表的mutiplying因素。
如果只有一个选择
， 然后HSPICE的会从你的模型文件的模式
， 而不是使用它的默认参数。所以你不需要任何额外的参数传递。
还取决于对在晶体管HSPICE的语法。如果你的语法要求该地区的传递信息
， 那么你必须，否则不是。

 

[Guest]

[No message]

 

[hung_wai_ming@hotmail.com]

jacobliu，

我认为安布雷说，通常是当我们使用晶体管的SPICE模型，我们已经限制的类别，SPICE模型可以提供。通常情况下，它可能已发射的5x5，3x3，10x10领域，它们都被特点foundy和布局也是固定的使用，因此我们不能改变
， 如果改变，该模型可能没有什么用。因此，只要使用该模型提供的之一。
如果您想了解更多的晶体管，可以检查内部的SPICE模型参数。

 

[jacobliu]

您好安布雷＆hung_wai_ming（上）hotmail.com，

感谢您的答复，

我解释为什么我提出这个问题。

在HSPICE的手册：
DC的模型参数的比例（国际教育局，是伊势自由搏击协会，钾电流，和IRB）的为
纵向和横向晶体管晶体管，是由以下公式：
ISeff =面积*米*是
集成电路及IB是ISeff相关因素。

这意味着paramater“区域”将影响晶体管直流操作点。

在HSPICE的手册：
区：发射极面积乘以因素影响电流，
电阻和电容。默认值= 1.0。
AREAB：基地面积乘以电流的影响因素，
电阻和电容。默认值=区。
AREAC：集热器面积乘以电流的影响因素，
电阻和电容。默认值=区。

我们可以看到
， 从铸造clearly.Emitter区晶体管的全球分销系统不等于根据地
， 这是不符合HSPICE的默认设置。

在口径金沙：

我们需要为pnp5 * 5 = 25个地区
， 使金沙正确。

它混淆我的参数“区域”是非常有用的匹配铸造的测量与否。

关心，

 

[godcadence]

该区参数是一个方面因素的模型工程直流参数。如果你有晶圆代工的模式和区域设置为2，则所有的直流参数
该模型将被设置为辖区* 2的晶体管。你可以做一个简单的模拟来验证它。