变容二极管：如何提高电容变化范围是多少？

[Guest]

嗨，
我需要一个变容二极管可以集成在IC，从0时加反向偏置电压〜3V时，电容变化尽可能大。
对于N / Psub二极管标准CMOS工艺，从0时
， 反向偏置〜3V的电压，电容变化只有2次，如何获得更大的变化范围是多少？

任何人在CMOS过程中的经验，你跟我一样？非常感谢！

 

[ionp]

它实际是为你在一个固定电容开关当你运行范围在您的变容二极管？

 

[psmon]

比（Cmax分别/谷浓度）〜2标准的IC工艺，除非特殊的变容二极管提供。

 

[Guest]

psmon说：

比（Cmax分别/谷浓度）〜2标准的IC工艺，除非特殊的变容二极管提供。

 

[Guest]

[No message]

 

[psmon]

采取PN结（包括MOS和变容二极管）的电容变化时
， 耗尽区是增加或减少。当您增加地区，这个地区增加电场。必须有限制之前
， 该路口进入崩溃。因此
， 铸造确定一个保守的限制的可靠性问题。

英飞凌为他们提供了SiGe BiCMOS工艺特殊的变容二极管（他们使用兴奋剂一层额外增加调谐范围）。我没有他们的designkit，所以我不能检查。

希望这有助于！