Jul 17, 2011 #1 C CandleCookie Guest 嗨，我真的需要一些帮助proteus仿真。对于这个半桥模拟，我不能得到任何波形。我不断收到的错误一样在我上传的PIC。有人可以帮我看看，如果有任何错误？其实，我真的不知道如何切换MOSFET上的，所以也许这是错误的。我选择了模拟脉冲，脉冲宽度200us和MOSFET的频率100Hz。所以，我希望能得到一些建议，从u所有。谢谢。
嗨，我真的需要一些帮助proteus仿真。对于这个半桥模拟，我不能得到任何波形。我不断收到的错误一样在我上传的PIC。有人可以帮我看看，如果有任何错误？其实，我真的不知道如何切换MOSFET上的，所以也许这是错误的。我选择了模拟脉冲，脉冲宽度200us和MOSFET的频率100Hz。所以，我希望能得到一些建议，从u所有。谢谢。
Jul 17, 2011 #3 A alexan_e Guest 在P MOSFET Q1，您已连接到较低的电压比漏源极引脚，使MOSFET保护二极管是不是应该反向连接。在P MOSFET的源代码，在更高的电压比漏MOSFET进行时，栅极电压低于源（多少取决于所用的MOSFET）。在N MOSFET的源漏相比较低的电压，MOSFET传导时的栅极电压比源更积极。想象两个电位器两端连接到MOSFET的漏极和源极和栅极连接到中心抽头，你越是把锅漏你申请更多的偏见和您降低MOSFET导通电阻（漏源电阻）所以你进行更多的，您越接近走向源关闭MOSFET。 [SIZE = 1 ]----------发表于16时02分补充----------上一篇是15时58分----------[/尺寸]我认为你应该使用的Q1 MOSFET Q2的地方，但扭转源/漏极和使用第二季度在第一季度的地方，因为它是。亚历
在P MOSFET Q1，您已连接到较低的电压比漏源极引脚，使MOSFET保护二极管是不是应该反向连接。在P MOSFET的源代码，在更高的电压比漏MOSFET进行时，栅极电压低于源（多少取决于所用的MOSFET）。在N MOSFET的源漏相比较低的电压，MOSFET传导时的栅极电压比源更积极。想象两个电位器两端连接到MOSFET的漏极和源极和栅极连接到中心抽头，你越是把锅漏你申请更多的偏见和您降低MOSFET导通电阻（漏源电阻）所以你进行更多的，您越接近走向源关闭MOSFET。 [SIZE = 1 ]----------发表于16时02分补充----------上一篇是15时58分----------[/尺寸]我认为你应该使用的Q1 MOSFET Q2的地方，但扭转源/漏极和使用第二季度在第一季度的地方，因为它是。亚历
