可控硅

[ervie_3525]

的问候！
我是一个学生4年欧洲经委会在菲律宾。任何人可以帮助我对硅控制整流器举报我？由于提前..

 

[Guest]

它的二极管相同charactaristics，电流从阴极流向阳极，在阳极与阴极方面积极。
然而，它才会这样做的门时
， 也相对于阴极积极。
在电路，与开关打开所示，没有电流流过。
当开关关闭时，二极管开始进行
， 从阴极流向阳极电流。
有一个问题。
如果现在打开开关，电流继续流动。
传导可以停止通过删除阴极/阳极电压。
另一个阻止电流的方法是扭转极性阴极/阳极电压。
如果晶闸管是用于一个AC电源
， 然后将进行正半周期
， 自动切换
， 在负半周期了。
在与栅极连接串联电阻栅极电流限制到安全值。
你可以看到folloing网址
en.wikipedia.org /维基/晶闸管

 

[the_risk_master]

您好Ervie pards，我完全同意主席先生
， 卡齐米;
这里有一些有用的信息
， 我知道我可以分享：

阿可控硅（或半导体控制整流器）是一个4层固态装置
， 控制电流。一个晶闸管可以看作是由一门传统的信号控制整流器。这是一个4层3 -终端设备。阿的P -作为阳极和一个n型层的行为类型作为阴极层; p型层接近n型（阴极）作为一门。

操作模式：

在正常的'小康'状态的设备限制电流的泄漏电流。当门阴极电压超过一定阈值时，器件关'对'和传导电流。该设备将在关于'国家即使在目前的大门依然被删除
， 只要通过该设备目前仍高于目前持有。一旦低于适当的时间内保持电流电流下降，该设备将关掉。

如果电压增加不够快，可能诱发电容耦合到栅极足够的充电来触发的'国家'，这是被称为DV到设备/ dt的触发。这通常是无法通过限制电压上升整个装置，通过使用一个缓冲
， 也许率。dv / dt的触发不得转为全面传导迅速
， 部分触发可控硅可以消耗更多的权力可能比通常危害的设备，可控硅。

可控硅触发也可以通过增加超过其额定击穿电压正向电压，但同样，这并不迅速切换到整个设备的传导
， 因此可能是有害的
， 使这种模式也通常避免。此外，实际击穿电压可能大大高于额定击穿电压，因此确切的触发点会有所不同
， 从设备到设备。我希望pards这些信息帮助你和dont忘记把“帮助我”按钮嗯。

塔加宇江家cguro

 

[roykyn]

尝试谷歌搜索....ü当地雇员得到所有的东西...喜欢的动画明智的
， 很容易理解.....

 

[nguyennam]

谷歌是我们非常好的朋友。

或者
， 您可以直接在网上冲浪的www.st.com（ST公司），www.irf.com（公路联合会公司），www.philips.com（飞利浦公司），挑一些关于可控硅非常好的文件
， 因为它们都是在非常出名的晶闸管制造商。

nguyennam

 

[Guest]

[No message]

 

[leonzam]

看见

http://www.opamp-electronics.com/tutorials/the_silicon_controlled_rectifier_SCR_3_07_05.htm

和

http://www.americanmicrosemi.com/information/tutorial/index.php?t_id=10