在低压差稳压器缓冲区

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Guest
您好一切,我现在开始设计的低静态电流,低压差与CMOS处理器电压调节,请你告诉我的一些在LDO的缓冲结构,规范是宽带宽,低静态和足够的转换率。

 
源极跟随器的例子。
有时仅仅缓冲解决不了问题
, 因为稳定的缓冲区的形式栅极寄生电容,这可能很容易花药内统一的LDO环路带宽的非预主极点阶段。

 
什么是可参考电压是什么?分钟。负载上限。可用?
什么是所需的电源抑制比最坏的情况?多少静态电流可用
, 并且是动态偏置可供选择?一种可能的规格架构可以是:PMOS Diff Amp, followed by a common source NMOS stage with resistive load followed by the pass transistor and the feedback resistor divider.This architecture will have low quiescent current loop gain and thus PSRR.
 
你怎么能与源极跟随一稳压器????为了获得了非常低压降你必须在输出PMOS管。大家说
, 一个NMOS管可使用没有LDO的问题
, 或有母语的NMOS器件。

 
NMOS管通晶体管有可能为获得LDO电压只有当你提升电源电压和驱动它的OTA的
, 因此可以有足够高的栅极电压驱动的NMOS晶体管使用。

 
谁能解释为什么预先加上缓冲区可以改善的PSRR,感谢

 

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