在布局问题闭锁。

[wccheng]

亲爱的，

我图纸布局采用0.18微米CMOS。

pad.

在我的设计，有一些积木'输出/输入和 模拟
连接 静电
垫脚。在我做刚果民主共和国的检查，它说
， 有栓锁问题
， 并建议我补充后卫这个区块环。此块已经高度包装（上部为PMOS和NMOS管下部）。我可以添加p 和n -后卫与整个构件的上部
， 而不是由n -护圈和下部的P - NMOS管护圈环绕周围PMOS的戒指。然而，同样的错误出现。我怎么能解决？我不能使用
， 因为一些原因
， 数字化板。

谢谢

wccheng

 

[gafsos]

添加2（或3行如果可能的话）在PTAP接触/块周围的市区重建策略

 

[Guest]

[No message]

 

[ESDSolutions]

嗨

有时
， 保护环是不够的
， 之间的NMOS和PMOS一定的距离是必要的。的N 连接到GND和PMOS的P源 连至VDD源必须用一定的最小距离。我没有机会在这个时候刚果民主共和国的规则。我相信
， 这就是从铸造准则中所提到的刚果民主共和国。

 

[k_90]

酵母EDSsolutions是正确的。

你需要一个公共服务电子化设备和unrealated电路的最小距离。有一个最小距离，一般公共服务电子化之间的NMOS器件到最近的PMOS器件带有和不带有护圈的距离。在保护环下降了约一半的最低。当心我们看到公共服务电子化规则忽视电阻使它看起来好像一切都conected权力，只是一个观赏。

设计规则会告诉你的最短距离。