Jul 10, 2011 #1 A Avighna Guest Xactly公司做什么我们所说的静态功耗？我的意思我明白了它的泄漏功率......有RA的栅极漏电流的亚阈值泄漏PN接面漏是什么意思上述三个因素有助于这种泄漏功率....情侣？即闸极漏电流，亚阈值泄漏，PN结漏..会有人帮助我了解这个详细的静态功耗的概念....或者是从我们CUD清楚地明白这东西有什么材料！！ Plzz请帮助！！
Xactly公司做什么我们所说的静态功耗？我的意思我明白了它的泄漏功率......有RA的栅极漏电流的亚阈值泄漏PN接面漏是什么意思上述三个因素有助于这种泄漏功率....情侣？即闸极漏电流，亚阈值泄漏，PN结漏..会有人帮助我了解这个详细的静态功耗的概念....或者是从我们CUD清楚地明白这东西有什么材料！！ Plzz请帮助！！
Jul 10, 2011 #2 C ckaa Guest 试试这两个环节。他们应该回答您的问题。 http://asic-soc.blogspot.com/2008/04/sub-threshold-current.html＃ focus.ti.com/lit/an/scaa035b/scaa035b.pdf您也可以尝试任何半导体器件物理书籍。他们应该有CMOS静态功耗的部分。
试试这两个环节。他们应该回答您的问题。 http://asic-soc.blogspot.com/2008/04/sub-threshold-current.html＃ focus.ti.com/lit/an/scaa035b/scaa035b.pdf您也可以尝试任何半导体器件物理书籍。他们应该有CMOS静态功耗的部分。
Jul 10, 2011 #3 K koggestone Guest 希望u知道，晶体管有4个码头的门源漏极身体闸极漏电流 - 电流泄漏栅源。亚阈值漏 - 从漏极到源极的电流泄漏。 PN结的漏 - 目前漏水漏身体。其他一些琐事信息。 - 在65nm工艺中，栅氧化层厚度为1.2纳米。在仅有5个原子的厚度字（是的，我们所谈论的原子）。现在，希望你可以想像多么容易的电子流栅源之间通过这5个原子，因此栅极漏电流成为一个问题。闸极漏电流，如何解决？答 - 使用超过5原子厚的东西。那就是，看中字的HKMG（高K金属栅极）的是什么。电容= K。 E0 / D保持电容不变，如果增加ð的，则u K也增加（因此字高K）。在斯坦福大学这3个数字VLSI讲座课程（ee271，ee313，ee371）。
希望u知道，晶体管有4个码头的门源漏极身体闸极漏电流 - 电流泄漏栅源。亚阈值漏 - 从漏极到源极的电流泄漏。 PN结的漏 - 目前漏水漏身体。其他一些琐事信息。 - 在65nm工艺中，栅氧化层厚度为1.2纳米。在仅有5个原子的厚度字（是的，我们所谈论的原子）。现在，希望你可以想像多么容易的电子流栅源之间通过这5个原子，因此栅极漏电流成为一个问题。闸极漏电流，如何解决？答 - 使用超过5原子厚的东西。那就是，看中字的HKMG（高K金属栅极）的是什么。电容= K。 E0 / D保持电容不变，如果增加ð的，则u K也增加（因此字高K）。在斯坦福大学这3个数字VLSI讲座课程（ee271，ee313，ee371）。
