May 15, 2011 #2 Q qasmi Guest 在CMOS的设计主要有两种类型的氧化层。栅氧化层或薄氧化或现场氧化物：这是一个硅迪门，下方的多晶硅作为栅氧化层电容的介电氧化物目前的薄层。当正确偏置电场产生通道是负责组建。这就是为什么它也被称为场氧化。在最近的亚微米技术，此氧化层小于5 nm的薄，这就是为什么它也被称为薄氧化层。晶体管的盲分离Blind：这是相对较厚的氧化硅层迪用来隔离一名来自其它晶体管晶体管的源极和漏极地区都存在。然而，在深亚微米分离制度的seprating晶体管更先进的技术是用于像沟槽隔离等
在CMOS的设计主要有两种类型的氧化层。栅氧化层或薄氧化或现场氧化物：这是一个硅迪门，下方的多晶硅作为栅氧化层电容的介电氧化物目前的薄层。当正确偏置电场产生通道是负责组建。这就是为什么它也被称为场氧化。在最近的亚微米技术，此氧化层小于5 nm的薄，这就是为什么它也被称为薄氧化层。晶体管的盲分离Blind：这是相对较厚的氧化硅层迪用来隔离一名来自其它晶体管晶体管的源极和漏极地区都存在。然而，在深亚微米分离制度的seprating晶体管更先进的技术是用于像沟槽隔离等
May 15, 2011 #3 S santuvlsi Guest 亲爱的伙计，场氧化层的产生图片当你实现两个在同一衬底晶体管。对于两个晶体管分离我们把厚厚的氧化beween他们。栅氧化层的氧化层，是我们之间的通道或衬底多晶硅和表决。通常这将是薄薄的一层。享受Santu
亲爱的伙计，场氧化层的产生图片当你实现两个在同一衬底晶体管。对于两个晶体管分离我们把厚厚的氧化beween他们。栅氧化层的氧化层，是我们之间的通道或衬底多晶硅和表决。通常这将是薄薄的一层。享受Santu
