坏带出经验

[liuyonggen_1]

可能有人帮助我吗？
塔附件的带隙电压基准的结构。仿真结果表明
， 产量约与10ppm 1.12v。但是当我录音后测量出它的输出电压为0.7V左右。

下面将显示您的组件的效能。
晶体管的阈值电压大约为0.8V。其电流增益为10（非常小）。也许，电阻之间的匹配是坏的。

你能解释一下？非常感谢！
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[MikeR]

什么是VDD和R1/R2/R3比例？

 

[horzonbluz]

您的bangap结构是错误的。
我不认为这是可以负担得起1.2V的输出电压。

 

[aryajur]

您是否尝试过席卷内径更高的电压？

 

[liuyonggen_1]

在内径约5.8V的
是的，我扫内径约10volts，输出电压为1.2伏。但是
， 当继续增加在VDD，输出电压也将增加。2分钟后添加：horzonbluz说：

您的bangap结构是错误的。

我不认为这是可以负担得起1.2V的输出电压。

 

[gdhp]

我想你可以解释你的结构的第一个。

 

[Guest]

[No message]

 

[liuyonggen_1]

我认为这是一个基本的参考电压结构。

 

[xiaoben]

首先
， 你将检查你的电路，那么你必须模拟电路
， 并检查DC作业点，最后。最后解决问题。

 

[liuyonggen_1]

仿真结果表明
， 电路工作正常。但这一措施结果表明上述表示的。