多一个面试问题

[Guest]

问题是

“通常情况下，如何打破在一个电压偏置MOSFET的首先是增加了，门或漏扩散？”

余anwsered“大门将被打破首先
， 由于薄氧化层”。但是
， 我不能解释为什么不流失在那一刻扩散？

有何帮助？欣赏

 

[swagata]

我想坏了第一排。在漏雪崩击穿发生在一个范围20V的一个典型的晶体管，150伏。在穿孔发生的shrt通过通道器件有点20V的高。截至Wheareas小高栅极电压为30V加门breaksdown。
参照由史密斯堡及微电子详情。

 

[rajanarender_suram]

是的
， 我接受swagata，排水扩散休息第一

 

[Guest]

[No message]

 

[ship_baba]

questionns
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