多布尔栅MOSFET的模拟

A

aapirzado

Guest
大家好,对于一个双栅MOSFET,宽/黑白二硅化钨盖茨是众所周知。如果我增加20纳米(nm)的硅化钨至40岁,大门口通道里失去控制,我不能消耗device.It认为是合乎逻辑的距离B / W的2门(硅化钨)的增加,这是更难大门内保持通道(最远无论从门)中心控制。门失去了控制中心的通道。谁能帮我解释或物理方法的分析这种关系? [网址= http://images.elektroda.net/4_1305728746.gif]
 
本人堆栈中的所有的SOI场效应管的时间和有没有问题。我的猜测是,这必须与特定的光刻做的“合并”的设备。我觉得很可疑,你可以有一个可重复聚20nm的间距(宽度,行,空间???).在这样的数据量小的情况下击败任何理论量。
 
亲爱的主席先生,谢谢乌尔代表。但是我只用阿特拉斯sivalco模拟危险品1微米高压MOSFET的wiithout junctions.I通道长度为n bahavoiur我改变widht,从10至40纳米硅化钨。当我从10纳米到40纳米进一步走向,我觉得dificlt消耗设备bcz距离/黑白2盖茨增加。我相信,苏氨酸的一些物理或数学,即时通讯寻找的人的可持续发展。门thicknes是45nm和15nm的氧化为所有10至40纳米widht宽。
 

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