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aapirzado
Guest
大家好,对于一个双栅MOSFET,宽/黑白二硅化钨盖茨是众所周知。如果我增加20纳米(nm)的硅化钨至40岁,大门口通道里失去控制,我不能消耗device.It认为是合乎逻辑的距离B / W的2门(硅化钨)的增加,这是更难大门内保持通道(最远无论从门)中心控制。门失去了控制中心的通道。谁能帮我解释或物理方法的分析这种关系? [网址= http://images.elektroda.net/4_1305728746.gif]