多布尔栅MOSFET的模拟

[aapirzado]

大家好，对于一个双栅MOSFET，宽/黑白二硅化钨盖茨是众所周知。如果我增加20纳米（nm）的硅化钨至40岁，大门口通道里失去控制，我不能消耗device.It认为是合乎逻辑的距离B / W的2门（硅化钨）的增加，这是更难大门内保持通道（最远无论从门）中心控制。门失去了控制中心的通道。谁能帮我解释或物理方法的分析这种关系？ [网址= http://images.elektroda.net/4_1305728746.gif]

 

[dick_freebird]

本人堆栈中的所有的SOI场效应管的时间和有没有问题。我的猜测是，这必须与特定的光刻做的“合并”的设备。我觉得很可疑，你可以有一个可重复聚20nm的间距（宽度，行，空间???).在这样的数据量小的情况下击败任何理论量。

 

[aapirzado]

亲爱的主席先生，谢谢乌尔代表。但是我只用阿特拉斯sivalco模拟危险品1微米高压MOSFET的wiithout junctions.I通道长度为n bahavoiur我改变widht，从10至40纳米硅化钨。当我从10纳米到40纳米进一步走向，我觉得dificlt消耗设备bcz距离/黑白2盖茨增加。我相信，苏氨酸的一些物理或数学，即时通讯寻找的人的可持续发展。门thicknes是45nm和15nm的氧化为所有10至40纳米widht宽。