天线布局的影响表示关切

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mary96960

Guest
我注意到，有多晶硅天线，跟天线，通过天线，那么天线，金属天线以外。这些天线是指什么？如何正确布局这些天线的侵犯？我的Calibre DRC检查以及天线的错误：一声：谢谢。
 
你好，玛丽，我想天线的检查仅仅是从外科在制造过程中的电压，以保护多晶硅？好天线？我不知道，但也许其他成员可以回答您的问题，要知道... ...最好的问候...
 
对于我来说，这也是第一次enccount。希望有人能够帮助...
 
您好玛丽，天线错误发生时的X，其中X可以是金属溃败，溃败（型低电阻聚在一些过程中用来做基板CONN小长度的连接和低压配电像本地互连面积的比例等），门区conected超越晶圆厂增加提到的比例。这里的问题是，在反应离子束/离子束刻蚀，这种结构连接到闸门将聚集足够的电荷，破坏门，即薄氧化介质。所以您的问题可以通过减少面积的比例减少。为了找出究竟是什么在上下文中的天线的错误，你最好参考你的规则文件。有时，柔软和天线检查杵在一起。希望它是明确的。
 
THX。我的理解是，天线的规则只在乎金属门区的比例。为什么我的设计规则以及涉及\\通孔\\？
 
我不肯定。 usaully，你只用金属线的长下触摸门位。您的FAB是正确的联系，以清除这个疑问。 （我希望你从你的规则文件）
 
[报价]这里的问题是，在反应离子束/离子束刻蚀，这种结构连接到闸门将聚集足够的电荷，破坏门，即薄氧化介质。所以您的问题可以通过减少面积的比例减少。 [/QUOTE]这是正确的，这是发生在最后的蚀刻阶段。当你几乎完成蚀刻和继续它litlle insurancy位。在此之前，所有的金属元素相互连接和充电电流可以很容易泄漏。但在这最后阶段的sctructure有一些漂浮的那些连接到门薄氧化的金属岛屿。由于金属的顶部是由光阻隔离的充电电流流过，通过这些浮动区域的外围。栅极电容更高的电压可以达到栅极电压。因此，金属岛屿周边门区的比例是关键参数。同样的情况也可以通过在通过蚀刻。在最后阶段，当你alredy打开通过金属浮岛churge目前开始增加栅极电压。在此之前，金属氧化物分离。但在这种情况下，电流流槽打开过孔。因此，通过区门区现在的关键参数。接下来的金属。外围门区。但如果浮岛成为连接到任何排水渠或源区，它应被排除在考虑，因为交界处泄漏。
 
您好以及天线充电门durinig制造的亿客亿客衬底漏电流足够高时相比，栅极漏电流，它会破坏门的解决方案是亿客衬底漏电小于门的亿客与一般这种泄漏下降到sustrate使用M1，这意味着我们创建一个反向偏置二极管方面analayout
 
[报价= analayout]您好以及天线意味着充电门durinig制造方面的亿客亿客衬底漏电流足够高时相比，栅极漏，它会破坏门的解决方案是使亿客衬底漏电小于门这种泄漏与一般的亿客sustrate使用的货币供应量M1，这意味着我们ř创建一个反向偏置二极管方面analayout [/QUOTE]对不起analayout，你能否解释一下你对此有何评论？我不知道为什么亿客将在制造过程中充电到门？子漏电流和栅极漏亿客之间的关系是什么？是不是它背后的天线规则电压损坏?:?::?:
 
THX，所有。我以及天线的定义如下：好天线PFET的栅极漏电流和可靠性随时间变化的介质击穿（TDDB）故障的增加，在观察与N +二极管并列为基材的测试结构。假设的原因是由于大型天线连接（例如，很多过孔焊盘）的门充电的N -。这些好天线，如能在栅氧化层损伤和可靠性失败的结果。较厚的栅氧化层，如DG和EG，更可能是由于更低的漏电流水平比薄栅氧化物的影响。如果N井衬底二极管的漏级足够高，充电流入基板可以防止栅氧化层的损害。这抵消的非常低的漏水平，旨在为N -。追平了N -基板使用一个二极管具有较高的渗漏程度比n阱衬底二极管是一种有效的解决方案。原则，以及天线可能同样影响在三重井NFETs，但这些结构尚未公布。在此期间，三重井，应与封闭N -。追平了N -基板是在大多数电路中所固有的。例如，一个逆变器N +漏，分别连接N -基板使用其P +漏。我的问题是如何配合n阱使用二极管的衬底。
 
您好玛丽从PMOS盖帽亿客以外的货币供应量M1，然后把一个m1to RX联系我认为净重UR明确ragards analayout
 
analayout，怎么样？我应该到哪里连接的盖帽M1？ THX。
 
您好一般净重是连接通过衬底接触亿客外，然后把一个M1 TI RX联系这应该是外面的亿客sustrate及路线M1与VDD。接触n +扩散区，所以这其实是我们ř创建一个反向偏置二极管希望UR明确净重方面analayout
 
对不起，我仍然没有意义。我想一个PIC可以帮助。顺便说一句，我认为通常我们连接西北至VDD m1.Are通过净重联系建议您使用外净重一个N +差异，而不是在它里面，并连接它净重内部PMOS的烃源？那么，什么电压的潜力，我应该连接到N +差异，VDD也？
 
您好，我们需要以连接净重为N的亿客我们ř配售这点我们ř路由M1一个ñ + diddusion（M1到RX）联系外的亿客和一个M1的RX接触（n +扩散）所示+扩散，使附件希望，净重UR明确的问候analayout
 
非常感谢您！大部分的错误消失了，除了一个，这就是差异，N +植入，净重等，形成一个NMOSCAP和有P +外NW.How添加扭转偏见，在这种情况下DIOD皮卡。
 
您好，我并没有得到它，你可以expain方面analayout
 
我的意思是相同的刚果（金）违反发生在NMOS形成第。这是由N +差异，保利，CT，货币供应量M1，净重。要解决，我已经加入了里面的NW ñ +差异净重皮卡和另一个n +差异外，共创逆转偏置二极管。然后，违反了。但我想知道这是一个NMOSCap这样做是正确的吗？在原始布局的原因，净重是浮动的。感谢。
 
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