天线遭受侵犯的情况下性病电池设计

[vlsitechnology]

谁可以告诉我如何解决在标准电池的情况下天线的行为？

Bcz这里我们只用一个金属层
， 货币供应量M1所以没有跑步或跳跃层的机会....所以我们必须使用天线二极管？这里如果是的话又如何放置
， 并做好做这件事再作标准单元的天线二极管
， 并呼吁所有实例我们高压天线的任何违反??????????

回答我...

 

[layoutmaster]

没有必要建立一个“天线二极管”细胞
， 如果你不想创建它...

如果你有一个P -基板的过程，一个简单的格 以上的连接到了“天线违反”路线
， 将作为天线在其他职位描述二极管的金属基片放在接触。

 

[Guest]

[No message]

 

[vlsitechnology]

我们不能使用层跳频技术或慢跑技术的权利？

慢跑和跳跃层是相同的？？？？

 

[layoutmaster]

从你提过只有一金属那么你是对的，你不能跳进一平方米
， 以避免天线的侵犯。

关于你的最后一个问题，我没有听到我刚刚描述的上述技术两个名字，所以我的答案是肯定的...

 

[kumar_eee]

通常我们不会考虑性病细胞天线侵犯
， 因为它会导致地区增加..因此，我们通常去放置在SoC级的金属天线二极管或慢跑。

 

[layoutmaster]

附加评论...库马尔时也提到
， 作为我们没有使用拇指把天线二极管规则，（或做性病金属慢跑）。细胞水平，此外，在块级别，我们不使用任何做网
， 连接到同一块的I / O引脚，因为
， 在更高层次网，可以去一个传播
， 让我们的需要“放电路径”...

 

[vlsitechnology]

布局主人可ü请我再次解释
， 我不理解乌拉圭回合块的概念.....为什么不是发生在全芯片呢？？

“我们不使用任何做网
， 连接到同一块的I / O引脚，因为
， 在更高层次网，可以去一个传播
， 让我们的需要”放电路径“...

 

[layoutmaster]

我的意思，当你在较低层次的工作水平（区块
， 共同创造的顶层或芯片...).

通常你检查天线直接在顶层，然后您会看到全貌
， 但有时你可能在低层次的测试（1块）它。还有
， 当我说你可能检查的顶层等待
， 看看你确实有违反...

是不是清楚了吧？

 

[vlsitechnology]

是thnks1分钟后添加：请解释慢跑与层之间的差异跳跃

 

[layoutmaster]

同样的事情

 

[kumar_eee]

..

非常感谢 Layoutmaster
..很好的解释...

 

[vlsitechnology]

我听说是有慢跑和层间跳跃细微的差别...黄大仙我knw谓？

还有另外一点是...我们为什么要为上层去当我们为什么不跳层为底层
， 我们去？？

 

[csmode]

- “为什么我们为跳频层上层去
， 因为在fabricatin屏蔽是将低层到顶层，antinna违反收费沉积主要b'use长网如果u收费较低的层次去将继续流向b'使用较低层已经存在，如果u改变为上层走时将dischaged上层基础。

 

[layoutmaster]

让我们澄清一些...在处理天线效应有没有太多层参与，只是聚，M1和（如果进程有）货币供应M2（或上方，取决于你的命名...公约的进程）

你可能被困在处理聚口罩应考虑尽快您处理货币供应量M1放电路径（通过连接的传播可能是一个晶体管漏，或聚任何费用，或天线二极管）。

当您处理的货币供应量M1，额外的费用将目前的阶段已经造成聚（如果放电路径不存在）。还有当你（用尽可能短的货币供应量M1）1层跳跃
， 以尽量减少额外费用的积累。换言之，作为我在其他职位表示，这将使您避免冲突错误得到一个在检查（因为检查的基础上面积比），但是，你可以看到，这只是一个部分解决方案...但这个答案
， 你为什么一上层跳。