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如何确定的补偿电容,即消委会值当设计一个外地加工措施?在这本书中“CMOS模拟电路设计”的艾伦写下了,我发现由于第二个极点的P2 =的GMII /氯,零ž =的GMII /消委会和威斯康辛州花旗参农业总会弘忆/毫升,所以我们可以知道
, 氯= 2.2消委会,其中的CL为负载电容。
但在大多数condiction,消委会不仅取决于负载电容,即氯,而且在寄生电容,即C01,例如,在附件中的公式,因此,我们可以发现,CC是决定该CL和C01。
我的问题是:当我们开始设计加工措施,我们不知道瓦特值/升,所以我们不知道的C01价值观念!因此,举例来说,从附件的公式,如何确定的补偿电容,即消委会值当开始设计一个外地加工措施?
请帮助我,thanx!该公式中可以找到的文件 “两个人的薪酬战略级
writed by G. Palmisano and G. Palumbo.
的CMOS运算放大器根据当前的缓冲区
, 由G.帕尔米萨诺和G.帕伦博写下了 “。
很抱歉,您还没有登录查看此附件
, 氯= 2.2消委会,其中的CL为负载电容。
但在大多数condiction,消委会不仅取决于负载电容,即氯,而且在寄生电容,即C01,例如,在附件中的公式,因此,我们可以发现,CC是决定该CL和C01。
我的问题是:当我们开始设计加工措施,我们不知道瓦特值/升,所以我们不知道的C01价值观念!因此,举例来说,从附件的公式,如何确定的补偿电容,即消委会值当开始设计一个外地加工措施?
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