如何大小PMOS和NOR NAND XNOR闸nMOS的?

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isaacnewton

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它的有关数字的大门设计。逆变器,我们可以尺寸(W / L)P(W / L)N根据对Vth,延时要求。但为NOR,NAND,异或门,因为有更多的晶体管,这些门,它看起来像不容易选择的值(W / L)P(W / L的)N
 
通常情况下,你设计一个逆变器,有平等的上升和下降时间。这是最一般的的做法。如果你想达到的最高速度可以使用最小通道长度。通道宽度取决于你想有一个给定的最高速度的驱动器上的实力。为了设计出任何其他门的功能,一旦你有逆变器的设计,串联的晶体管必须具有相同的大小相当于比例比逆变器。例如,一个2输入与非,两个NMOS晶体管系列连接器,每个单独的晶体管必须有twise的逆变器的NMOS大小。在NOR双的情况是。 EXOR可以构建一个和夫妇的NOR。
 
你可以参考“CMOS积体电路分析与设计”chap.7
 
我认为这取决于1。负载。你需要大量的MOS,驱动较大的第负载。如果负载是最低的,你可以用最低的MOS。 2。您前一阶段的驱动能力。它应该能够在一个给定的速度的负载驱动门。要小心,你前一阶段可能需要许多门驱动器在同一时间。 3。那么你可以选择N和P之间的比例只是模拟,0到1的转换率等于1到0。 4。多阶段可能是必要的的,如果其中一个阶段,不能驱动大负载。
 
开始传输门设计..然后看你需要什么... ...速度或电流?速度 - >小,高电流 - >大。在传输门的输出中会有毛刺,你可以把一个逆变器输出稳定.. (体积小,可还好....).我觉得不要紧,因为对超大规模集成电路(ULSI),晶体管的数量有所... srivatsan
 

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