如何孤立混合信号芯片基底噪声

J

Jim_Fu

Guest
亲爱的,

在混合信号芯片,庞大的数字模块和I / O缓冲区的噪音会影响通过基板的模拟电路的性能,如果把上述深阱的最小间距模拟模块将减少的效果,但一些设备进步党,没有母语的晶体管以上深阱的最小间距的限制;所以我想提出的数字模块和I / O电路以上的深Nwel,但我担心O电路以上的深阱的最小间距约我/将导致公共服务电子化的问题,任何人都可以给我一些建议?

由于提前,

吉姆

 
Jim_Fu说:

亲爱的,在混合信号芯片,庞大的数字模块和I / O缓冲区的噪音会影响通过基板的模拟电路的性能,如果把上述深阱的最小间距模拟模块将减少的效果,但一些设备进步党,没有母语的晶体管以上深阱的最小间距的限制;所以我想提出的数字模块和I / O电路以上的深Nwel,但我担心O电路以上的深阱的最小间距约我/将导致公共服务电子化的问题,任何人都可以给我一些建议?由于提前,吉姆
 
怎么样块模拟和数字部分,如S /艺发局小时,数字信号控制的模拟信号通过?

 
iexplorer说:

怎么样块模拟和数字部分,如S /艺发局小时,数字信号控制的模拟信号通过?
 
我无法理解的“I / O电路以上的深阱的最小间距将导致公共服务电子化”的问题。任何人都可以向我解释。
在我看来,公共服务电子化是确定的了。

 
为什么
, 与一个P 主动/分是最外层。与 n的那些活跃的内心?

 
forkschgrad说:

为什么,与一个P 主动/分是最外层。
与 n的那些活跃的内心?
 
您好Jim_fu,

你可能想利用在文献研究的
allstot或范德华加,同时为I ieee研究员相信。

玩得开心,

 
之后我把其中的p 和N ,另一个P 放在一个经验。为什么?

 
forkschgrad说:

之后我把其中的p 和N ,另一个P 放在一个经验。
为什么?
 
我对我目前的芯片确实是独立的模拟和数字部分,把它们之间的较厚的护圈,也将围绕这些高频率块护圈。

 
我认为
, 保护环的吸收杂散电子和空穴的使用(这相当于噪音),以及利用闭锁照顾。

为数字和模拟电源使用单独的IO的。使用内部监督办公室sperate电源。2分钟后添加:此外,一些脱钩帽子被放置在数字和模拟模块。

 
protonixs说:forkschgrad说:

之后我把其中的p 和N ,另一个P 放在一个经验。
为什么?
 
深阱的最小间距不包括公共服务电子化

是什么原因?

 
我认为的p 双重guardring guardring是吸收来自基底噪声时,n (连接到阱的最小间距)是为了防止基底噪声,我的权利。

 

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top