如何模拟理想二极管

[SupaTrupa]

我使用的PSPICE和Multisim 2001年。我不知道如何让理想二极管的使用这些软件，任何人都可以解释以下条款（这是在Multisim齐纳二极管的特性）反在齐纳测试电流（Izt）七十六毫安标称稳压齐纳阻抗特性标称电压（Vzt）3.3在Vzt和Izt（Zzt）4欧姆漏电流（Ir）在反向击穿膝关节附近（Zzk）300欧姆齐纳电流膝关节（Izk）正向电流1mA的正向特性（If1）1mA的近击穿试验电压（VR）的1V的齐纳阻抗为100uA在最低的正向电压（Vf1）0.73正向电流（If1）在中间的正向电压（Vf1）0.8正向电流（If1）在最高正向电压（Vf1）1.05二〇〇毫安一十毫安我只想模型齐纳二极管具有室颤，虚拟现实，射频，居民代表

 

[AartDeGeus]

阅读现有的模型，并找出它是如何做，并尝试对其进行修改。这并不容易

 

[Colbhaidh]

见附件

 

[Navid T]

你好，你可以在Multisim和电路制造商2000年的新组件再见

 

[dkace]

我不知道如何Multisim的工程，但我相信它并不比其他香料算法不同。我来过这个问题多次与理想成分和解决方案是相同的：以一组件，比如一个真正的二极管。 SPICE程序找到控制它。某处是使用命令行香料文件。找到这个二极管文件。所有你需要的是把香料方案的理想的数学表达的影响。因此，摆脱了二极管的特性是不理想（可能被指定为在threashold电压差异，泽纳电压等）。请确保您的新样板工程像你描述的：在节点1（甲）为0.7V在节点2（金）0V时说，标识= xxxmA洞等概念是修改二极管香料算法按照理想的数学模型。祝你好运四