如何模拟输入共模范围的运算放大器（ICMR）

[manalog]

大家好，今天我已经模拟了一个两阶段的运放，找出其ICMR。为了找出ICMR我给VIN的直流输入@ +，与VIN -连接到VOUT。后DC模拟，绘制VOUT的。为NMOS差分对在输入时，我期待的VOUT是从V1线性到VDD（其中V1>接地）。但令人惊讶的时，VOUT与VIN的+阴谋表明线性的结果。 VOUT是指下列VIN的+线性（如轨至轨运算放大器)!!!!!因此，当我检查手工，我发现一些晶体管的饱和区没有！！有的书说“ICMR是射程超过所有晶体管将继续留在饱和”。和艾伦的书说：“ICMR是射程超过该放大器具有相同的增益放大差异信号”。因为它明显地收益将减少，如果所有晶体管的饱和度不是。因此，它意味着找出ICMR（运放的直流特性）我需要做的交流模拟？如果我做我的DC模拟需要检查所有晶体管工作区域手动？抑或是有其他的方法来找出ICMR？ plz帮助...

 

[checkmate]

我认为正确的第一个定义。然而，这个定义也没有实际的硅核查。因此，对艾伦的定义。

 

[manalog]

[报价=击破; 880186]我认为正确的第一个定义。然而，这个定义也没有实际的硅核查。因此，对艾伦的定义。[/报价]第一个定义是指直流分析！对于两个阶段的运算放大器（近8 MOS器件）的罚款，但如果它的多级运放？此DC模拟方法看起来并不实用。是不是？

 

[dick_freebird]

我说，共模范围是你的射程超过其设计符合规范。全部。除非您和您的客户另有约定。它的容易得多，如果您将您的VCC和VEE（VDD和VSS）提供给第三方，氯乙烯供应地代替。然后，您可以扫描或步骤，并没有参考的信号正从离地面。你会看到产品的专用运放的ATE测试程序，以这种方式工作，使他们能够充分发挥我国范围/分辨率PIN卡固有的权衡中使用。对于直流你想象中的事情，以满足紫罗兰，AVOL，防爆/内部调查课。对于交流，你想看到相同的GBW产品，没有大的变化阶段。而且一定要运行某种形式的短暂SIM卡，特别是如果它有在第一阶段的双极，看看是否有附近一铁或其他，或者饱和挂断尾巴源越来越哽咽，但也许不会在小信号可见/直流。

 

[hoangtruyen]

嗨，你刚才只测量漏晶体管夫妇在运放的主要活动区域得到点电流（见附件）。它将使所有晶体管的饱和仍然存在。做交流模拟是不必要的。

 

[leehying]

嗨，运算必须有一些规格，一个主要问题。我想定义ICMR，所有其他规格符合我的要求。

 

[DenisMark]

你好，有一个或多或少实用ICMR模拟方法，我见过。它需要进行交流扫描分析。扫描频率最低的是对应的直流增益超过ICM的电压。经过交流扫描差异。增益分析作为ICM的电压的函数。其中点下降了3dB的增益就平带值可以被视为ICMR边缘。此致