如何界定max_fanout max_transition max_capacitance?

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roger

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亲爱的:如何定义max_fanout / max_transition /设计max_capacitance,请给我一些建议或经验。 BR
 
您不需要,如果有任何,本来应该在techonology库中定义。有时你可能需要设置为最高性能的目的过渡过渡限制。
 
[报价=罗杰]亲爱的:如何界定,在设计max_fanout / max_transition / max_capacitance,请给我一些建议或经验。 BR [/QUOTE]我的意思是设置这些限制
 
设计规则是在供应商提供的技术库,以确保产品符合规格,如预期的作品。典型的设计规则约束的转换时间(set_max_transition),扇出负载(set_max_fanout)和电容(set_max_capacitance)。这些规则规定的技术要求,你不能违反。 (你可以,但是,指定更严格的限制。)有关更多信息,请参阅DC用户指南!
 
该max_fanout / max_transition / max_capacitance是有限的图书馆。这是一个硬限制。在设计中,您可能会限制在最大范围内的。例如,需要高频率,你可以限制最大扇出<4(3),max_transition <1 / 10 *循环peroid,max_capacitance <4单元格的区域。
 
[报价= visualart]的max_fanout / max_transition / max_capacitance是在图书馆有限的。这是一个硬限制。在设计中,您可能会限制在最大范围内的。例如,需要高频率,你可以限制最大扇出<4(3),max_transition <1 / 10 *循环peroid,max_capacitance <4单元格的区域。[/QUOTE] 1。 4(3)指12? 2。 max_capacitance <4单元格面积,声音这么奇怪?你能解释更detailly? TKS
 
这些参数值是从库中,您通过,它没有与您的设计的相关性,但你可以设置一个严格的值根据你的设计。
 
典型的设计规则情景•set_max_fanout和set_max_transition命令•set_max_fanout和set_max_capacitance命令通常,一个技术库指定一个默认max_transition或max_capacitance,但不能两者兼得。为了达到最佳效果,请勿混用max_transition和max_capacitance。
 
例如,您可以编辑目标库VI tsmc25_typ.lib,你会看到许多表在图书馆中,一桌两dimionsation是过渡的时间和负载电容,因此accroding您的时间,您可以定义什么电容,转换为你的好设计。
 
如果您使用命令在直流report_constrian,你可以得到刚果(金)的技术库
 
你需要的语法或数字?通常,内部UR高科技库,价值观的存在。如果u定义一个值,比在图书馆一低,DC将JST忽略。这意味着,该值应始终stricten比一个库,否则将被DC忽略。
 
wkong,为什么限制set_max_transition将有助于降低功耗?
 
我觉得更过渡时间,持续时间越NMOS和PMOS都工作和大电流将持续更长的时间。所以电力远在过渡时间。
 
我以为set_max_transition导致更强的驾驶强度,从而消耗更多的电流设计中使用细胞:哎呀:你与report_power验证你的说法?或者它是一个行业普遍的做法呢?
 
只要通过实践,不是理论。这取决于你的设计和标准单元库。
 

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