如何获得精确的内径/ 2电压？

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Guest
嗨，
我读过我的情况下对内径主题/ 2偏置generator.But我需要一个偏置电压遵循内径/ 2，即使内径波动。

我正在考虑电阻分压器，但配套和电阻领域似乎痛苦。
怎么样土井出连接N / P系列的MOS分？有什么好担心？

感谢和关心！

 
你可以只使用MOS器件将孤立的散装连接。对于大多数进程
， 这只是作为二极管连接1 PMOS管。在NMOS管将有一个强大的衬底效应电压违反了平等原则。独立NMOS工作
， 但还需要一个双重的进程。

你应该考虑到不同的森林内径是随着时间的推移在VDD到VDD频率响应/ 2并不平坦。那么你应该有平等的负载电容至VDD和VSS在VDD / 2。

 
rfsystem的答复是伟大的52分钟后添加：rfsystem的答复是伟大的

 
二极管连接的晶体管给予一般不如电阻器匹配，因为它是三角洲（VGS）提供决定了输出电压的精度。

如果一个小电流是允许的，把两个二极管串联PMOS管的需求非常大的晶体管的长度。

我认为reisistors更好地为某一特定领域约束匹配。

 
我同意Humungus，即使你说的电阻匹配似乎是痛苦的，它会是更有效的解决方案。

要获得良好的晶体管匹配将更加困难
， 使了良好的电阻足够的工作，至少就好像总是...

 
NOP产品向导！

依赖于过程。

High Ohmic Poly, no
Silicide Block Layer what remains!

如果 没有
高电阻聚， 没有
硅化物块层还有什么！

格 扩散
P 扩散

这两个电压依赖

阱的最小间距

还衬底电压的依赖性

如果你坐在一0.18微米SiGeBiCMOS 40层的过程
， 但如果你的选择
， 只是0.13u的CMOS的W / O什么补充模拟？

 
不错。这是正确的。

我是说“这在一般"....始终将是进程的依赖
， 所以可能是一个很好的起点...确定哪些属于过程
， 我们谈论的，并从那里，最好的答案会出现...

 
你可以使用两个PMOS管（二极管连接
， 连接和分的来源）如果您使用N阱的过程。
我认为这将是势均力敌。

 
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