如何解决在刚果民主共和国密度错误?

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嗨,
什么是最好的方法正确的“密度”的错误得到执行刚果民主共和国的某些布局?
是什么让他们最初?即什么是其重要的现实? ?

谢谢,
干杯,
-诀窍

 
您好诀窍-有许多不同的方式来解决密度错误...

1 。如果是金属密度可以宽度的金属将超过最小距离。

2 。您可以添加虚拟模式以及金属和分配必须是平等的。

3 。如果在数据块级的只是忽视它
, 因为一旦你实例您阻滞对高层所有密度误差将不复存在
, 因为更多的金属硫和多晶硅使用。但是
, 根据我的经验
, 我通常的密度问题解决在数据块级的
, 以确保它是刚果民主共和国清洁。

4 。您可以添加更多的基板接触和联系
, 通过金属填补的空白。

5 。这是重要的密度issues.Planarity -差异氧化氮高地对某一地区的设计是一个重要的因素影响晶圆产量。当一个区域的设计低金属密度,氧化层可以凹陷很大。抛光并帮助改善平整,但如果金属密度特别低,
其 数额可氧化氮下垂过大
, 以克服。

干杯,
fixrouter4分钟后添加:还增加的原因
, 你应该修正错误密度块级
, 以确保您有改善平面上的水平。

享受!

 
我们可以波这个错误在数据块级的,但我们必须解决它在芯片级。

---------

为民密度
---------.....then you can put dummy poly strips or blocks ( strips preferred as small devices are effected at time of fabrication if a large body is arround them) and connect them to either vdd or vss.

解决这样的错误,如果它不仅关系到聚
.....然后你就可以把假条或聚区块(带首选小装置
, 都在制造时
, 如果一个大机构arround他们)和连接起来任何电源或的VSS 。
第一次尝试
, 以填补所有的空白空间
, 任何时候都可能在同一时间尽量多一致的
, 您可以同时放置多条
, 因为这将产生重大影响的产量。
...........then try to place dummy transistors with large lengths ( fingering can be used) and connect to appropriate powersupply.

如果民密度有关的错误是两个传播和聚
...........然后尝试把虚拟晶体管大型长度(指可以用来) ,并连接到合适的电源。每个终端(秒/数字/克/ b )
可循 至VDD或的VSS 。

try increasing the width of the power rails first, then of the fast switching signals like clock.

如果它与金属层...........
尝试增加宽度的电源,然后在快速开关信号像时钟。如果你有一些大的空间然后把有一些金属条。
...............

为什么修复分钟密度错误
...............
如果任何金属层或聚或扩散层不是均匀地分布在这种情况下的时候
, 制造空白将出席这些地方不存在层和蚀刻时的空白
, 如果这个足够大,那么一些蚀刻积聚在这些地方
, 并会影响的可靠性在很大程度上。因此我们需要解决这些错误的。

...........

最高密度修正错误
...........
通常会在图片
1 )金属..
减少宽度的电源和其它信号。

2 )在案件的回忆如果您使用的是戒指作为种电源.............和横向和纵向的戒指是同一金属。
在这种情况下
, 您可以cahnge金属插选项或间隔的戒指,任何小的变化
, 这些将产生重大的影响。 (但政府又depens宏观大小和环宽度....小宏将很难修复。 )

 
离开它
, 直到全芯片或阻止被选中

 
ahmad_abdulghany写道:

离开它,直到全芯片或阻止被选中
 

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