如何设计一个60纳秒延时电路？

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大家好，我想设计一个延时电路，延迟时间约为6ons，我该如何设计呢？
非常感谢

 
尝试提供更多的细节。是模拟或数字信号？什么是它的频率/重复率？什么是振幅？

 
一种常见的方法是使用LC网络模拟传输线。这些通常称为“延迟行。”

 
集成电路格言有数字延迟线信号。您可以在主页格言

 
感谢您的答案，我的设计是一个光接收机，NRZ码，位速率为1.25Gb / s的，我认为
， 如果使用输电线路，这将是IC的出，是不是？

 
延误行应该太长，是逆变器确定？什么是逆变器的延迟时间？

 
一个逆变器
， 可处理1.25Gb / s光NRZ将亚纳秒的传播延迟。
如果您需要稳定的延迟，你不想靠门的延误。

 
有一天我忘记了一个很重要的thinghs，我要延迟信号具有不同的振幅，最小幅度只有15mV，所以门延迟是行不通的，是吗？
我不想用线延迟，因为它太长
我想问的是有没有好的方法来实现这一长期拖延时间（约60纳秒，并不需要很准确）使用的电路
， 可以很好地结合起来？非常感谢！

 
一个逆变器延迟时间很容易受电源电压，温度等。

 
嗨
我附加doc文件，我不无如何粘贴此屏幕上的形象。
在我已制定将ü的拖延回合设计的逆变器和不同的两个晶体管电路。
很抱歉，您还没有登录查看此附件

 
您好亚洲，

目前即时通讯的CDR circuits.what还ü工作需要做到底，做ü平均延迟一些时间的数据。

 
您可以建立一个oneshot应在温度相当稳定，也可以得出一些（正常的NMOS管，PMOS管= 0.25/25）缓慢的逆变器。

慢逆变器都很好
， 如果电压和系统温度的合理控制良好（20％的电压，50 - 80C条温度范围）。如果这些参数有很大的差异，您可能要使用一种可以设计成这样的充电电流成正比MOSFET的阈值和独立oneshot现象，Vcc。

例如，您可以使用NMOS管阈值电压-词语
， 使电流收取小盘（1 2pf，有门大PMOS的制）。门槛将是另一个的大门是连接到上限NMOS管。现在的阈值电压基准保持目前的现象，Vcc独立的，与气温变化的电流阈值电压变化是成正比的NMOS管阈值的变化，使相当恒定的温度oneshot时间。
现在你只需要担心对过程变化上限。

 
electronrancher，请您让您的看法更清楚？Vth的参照？您的意思是
， 你将尽数阈值电压？请您更清楚一些简单的原理？谢谢您！

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="很高兴" border="0" />另一件事，为60纳秒延迟，我觉得环形振荡器的逆变器（大尺寸）组成
， 是不够的。这就是一个朋友说：“柜台”。然而，如何relize这种延迟是一个问题。例如，如何提炼出输入信号的（这是有关九齐：优势？

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_smile.gif" alt="微笑" border="0" />

如何确保延迟信号与原来相同的形状？因此，钢筋网似乎是一个不错的选择。然而，如何有效的信号延迟和以后恢复它仍然值得我们深思。
60纳秒的延误，似乎并非如此diffcult。所以，我不知道怎么样60ms者，？如果我需要延迟信号（没有这么快，就像启用和禁用信号）为60ms者，什么是最好的方法？可以任何你能给我一些意见呢？<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_question.gif" alt="问题" border="0" />

谢谢您！

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="很高兴" border="0" />
 
您好，sathi.ec：我无法下载该文件。你可以给我？我的电子邮件：wjx197733（上）126.com

 
到：electronrancher
你的意思是“你可以利用一些（正常的NMOS管，PMOS管= 0.25/25）”慢逆变器，是NMOS和PMOS使用相同的尺寸L =0.25瓦特NMOS管= 25瓦特或PMOS的瓦特= 0.25 = 25？

 
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